[发明专利]用于估计布线接合的功率半导体模块的劣化的方法和系统

权利要求书

1.一种用于估计布线接合的功率半导体模块的劣化的方法，该方法包括以下步骤：

a)在第一时刻获得所述模块的劣化指标(Degr_{est_t-1})；

b)通过将时间劣化模型应用于在所述第一时刻的所述劣化指标(Degr_{est_t-1})，来估计所述模块在第二时刻的估计的劣化指标(Degr_{est_t})；

c)获得一组在线测量值(X_{on_meas_t})，所述一组在线测量值包括所述模块的开启状态测量电压(V_{on_meas_t})、开启状态测量电流(I_{on_meas_t})和在线测量温度(T_{on_meas_t})中的至少一个，并且每个是在所述第二时刻正负100微秒内测量到的；

然后，

d1)通过应用电气等效模型，将所述一组在线测量值(X_{on_meas_t})转换为在所述第二时刻的推论出的劣化指标(Degr_{meas_t})，以及

e1)计算所述估计的劣化指标(Degr_{est_t})和所述推论出的劣化指标(Degr_{meas_t})之间的偏差；

和/或

d2)将在所述第二时刻的所述估计的劣化指标(Degr_{est_t})转换成一组在线估计值(X_{on_est_t})，所述一组在线估计值包括所述模块的开启状态估计电压(V_{on_est_t})、开启状态估计电流(I_{on_est_t})和在线估计温度(T_{on_est_t})中的至少一个，并且每个是通过应用电气等效模型针对所述第二时刻而估计的，以及

e2)计算所述一组在线测量值(X_{on_meas_t})与所述一组在线估计值(X_{on_est_t})之间的偏差；以及

f)依据计算出的偏差，将在所述第二时刻的所述估计的劣化指标(Degr_{est_t})校正为在所述第二时刻的经校正的估计的劣化指标(Degr_{corr_t})。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，作为迭代循环重复执行一系列步骤a)至f)，将在先前系列结束时获得的经校正的估计的劣化指标(Degr_{corr_t})用作针对下一系列的在第一时刻的劣化指标(Degr_{est_t-1})。

3.根据权利要求2中的一项所述的方法，其中，所述劣化模型包括参数，所述参数的值依据在所述先前系列中计算出的所述偏差来更新。

4.根据前述权利要求中的一项所述的方法，其中，至少监测温度值和电流值，并且其中，当所监测的值符合预先确定的标准时，触发步骤c)。

5.根据前述权利要求中的一项所述的方法，其中，

-在监测阶段期间，至少第一次执行一系列步骤a)至f)，然后，

-在预测阶段期间，执行至少一系列以下步骤：

a′)在第一时刻获得所述模块的劣化指标(Degr_{est_t′-1})；

b′)通过将时间劣化模型应用于所述第一时刻的所述劣化指标(Degr_{est_t′-1})，来估计所述模块在第二时刻的估计的劣化指标(Degr_{est_t′})。