[发明专利]改善硅太阳能电池的接触格与发射极层之间的欧姆接触特性的方法在审

专利信息
申请号: 201980014691.1 申请日: 2019-02-05
公开(公告)号: CN111742417A 公开(公告)日: 2020-10-02
发明(设计)人: 赵宏明 申请(专利权)人: 贺利氏德国有限两合公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 赵超
地址: 德国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 改善 太阳能电池 接触 发射极 之间 欧姆 特性 方法
【权利要求书】:

1.一种改善硅太阳能电池的接触格与发射极层之间的欧姆接触特性的方法,其特征在于,首先提供包含发射极层、接触格和背触点的硅太阳能电池,以及,将所述接触格与电压源的一个电极电连接,以及,将一个与所述电压源的另一电极电连接的接触装置同所述背触点连接,以及,通过所述电压源施加一个与所述硅太阳能电池的正向反向的小于所述硅太阳能电池的击穿电压的电压,以及,在存在所述电压的情况下,在所述硅太阳能电池的面向太阳的一侧的范围内对点光源进行导引,并在此过程中对所述面向太阳的一侧的某个分区的局部进行照明,以及,从而在所述分区内感生电流,以及,所述电流就所述局部而言具有200A/cm2至20000A/cm2的电流密度且为时10ns至10ms地作用于所述分区。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,

所述点光源为激光器、发光二极管或闪光灯。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,

所述点光源在所述局部上具有500W/cm2至200000W/cm2的功率密度。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,

所述点光源发射的是波长范围为400nm至1500nm的辐射。

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,

所述局部的面积为1·103μm2至1·104μm2

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,

与所述硅太阳能电池的正向反向的所述电压为1V至20V。

7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,

紧邻所述接触格的接触指地在所述硅太阳能电池的面向太阳的一侧的范围内对所述点光源进行导引。

8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,

所述硅太阳能电池采用单面式或双面式结构。

9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,

所述硅太阳能电池具有n掺杂或p掺杂的硅衬底。

10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,

所述发射极层具有高于100Ohm/sq的层电阻。

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