[发明专利]用于预测投影系统中的像差的测量装置和方法在审

专利信息
申请号: 201980015239.7 申请日: 2019-01-28
公开(公告)号: CN111758076A 公开(公告)日: 2020-10-09
发明(设计)人: M·C·沙夫斯玛;M·阿克萨;J·R·唐斯 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 董莘
地址: 荷兰维*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 预测 投影 系统 中的 测量 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种校准投影系统加热模型以预测光刻装置中的投影系统中的像差的方法,所述方法包括:

使曝光辐射通过投影系统,以曝光在衬底台上设置的衬底上的一个或多个曝光场;以及

对所述投影系统中的所述像差进行测量;

其中第一像差测量和第二像差测量之间的时间段小于曝光所述衬底上的所有曝光场所花费的时间段。

2.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:在对所述光刻装置中的所述衬底进行所述曝光之前,测量所述像差。

3.根据权利要求1或2所述的方法,进一步包括:

测量与所述曝光场的所述曝光相关联的所述像差;

使曝光辐射通过所述投影系统,以曝光所述衬底的另一曝光场;以及

测量与所述另一曝光场的所述曝光相关联的所述像差。

4.根据权利要求3所述的方法,进一步包括:针对所述衬底台上的所述衬底的不同曝光场的多次曝光中的每次曝光,测量所述像差至少一次。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法,进一步包括:在没有曝光辐射通过所述投影系统的冷却阶段期间,在所述衬底位于所述衬底台上的情况下,测量所述像差。

6.根据前述权利要求中任一项所述的方法,进一步包括:在使所述曝光辐射通过所述投影系统之前测量所述像差,并且在使所述曝光辐射通过所述投影系统之后测量所述像差。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法,进一步包括:将在所述第一像差测量和第二像差测量期间用于所述投影系统的数值孔径的大小维持在用于曝光所述衬底的所述大小。

8.根据前述权利要求中任一项所述的方法,进一步包括:在所述衬底的所述曝光和所述冷却阶段期间,将用于所述投影系统的所述数值孔径的所述大小维持为小于全数值孔径。

9.根据前述权利要求中任一项所述的方法,进一步包括:测量与多个衬底台上的多个衬底的所述曝光相关联的所述像差。

10.根据前述权利要求中任一项所述的方法,进一步包括:提供用于产生所述辐射束的源的时间调制。

11.根据前述权利要求中任一项所述的方法,进一步包括:提供用于产生所述辐射束的源的幅度调制。

12.根据权利要求1所述的方法,根据多个曝光集合的曝光序列来进一步提供所述曝光辐射,其中每个曝光集合具有以下各项中的至少一项:

与另一曝光集合不同的能量剂量,以及

不同数目的曝光。

13.根据权利要求1或12所述的方法,进一步包括:根据以下步骤测量所述投影系统中的所述像差

a)以用于曝光所述衬底的NA大小测量所述像差至少一次,

b)以最大NA测量所述像差至少两次,以及

c)以用于曝光所述衬底的所述NA大小测量所述像差至少一次。

14.一种测量装置,被配置为执行根据权利要求1至13中任一项所述的方法。

15.一种包括投影系统的光刻装置,所述投影系统被配置为将图案从掩模投影到衬底上,所述光刻装置进一步包括根据权利要求14所述的测量装置。

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