[发明专利]镧系元素化合物、含镧系元素薄膜及使用该镧系元素化合物形成含镧系元素薄膜在审
| 申请号： | 201980015311.6 | 申请日： | 2019-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN111770927A | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 克里斯蒂安·杜萨拉特;大野刚嗣;关友弘 | 申请（专利权）人： | 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 |
| 主分类号： | C07F17/00 | 分类号： | C07F17/00;H01L29/49;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 元素 化合物 含镧系 薄膜 使用 形成 | ||
1.一种通过以下通式(1)表示的镧系元素化合物。
Ln(R1xCp)2(A)y……(1)
(在通式(1)中：
Ln是Nd、Eu、Dy、Tm、或Yb；
R1独立地是甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、或叔戊基；
Cp是环戊二烯基；
A是含有氧、硫、磷、或氮的直链或环状的烃；
x是2至3的整数；并且
y是0至2。)
2.一种通过以下通式(2)表示的镧系元素化合物。
Sm(R2xCp)2(A)y……(2)
(在通式(2)中：
R2独立地是正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、或叔戊基；
Cp是环戊二烯基；
A是含有氧、硫、磷、或氮的直链或环状的烃；
x是2至3的整数；并且
y是0至2。)
3.如权利要求1或2所述的镧系元素化合物，其中，通过通式(1)或通式(2)表示的该镧系元素化合物是Sm(iPr3Cp)2、Eu(iPr3Cp)2、Tm(iPr3Cp)2、或Yb(iPr3Cp)2。
4.如权利要求1至3中任一项所述的镧系元素化合物，其中，该镧系元素化合物是用于形成用来生产半导体器件的含镧系元素薄膜的材料。
5.如权利要求1至4中任一项所述的镧系元素化合物，其中，该镧系元素化合物是用于通过化学气相沉积或原子层沉积形成含镧系元素薄膜的材料。
6.一种含镧系元素薄膜，其经由化学相沉积或原子层沉积通过沉积如权利要求1至5中任一项所述的镧系元素化合物形成。
7.一种含有如权利要求6所述的含镧系元素薄膜的发光材料。
8.一种用于形成含镧系元素薄膜的方法，该方法包括：
基底引入步骤，用于将基底引入腔室内；
镧系元素化合物引入步骤，用于将通过以下通式(1)或以下通式(2)表示的镧系元素化合物引入在其中布置该基底的腔室内；以及
成膜步骤，用于在该基底上形成该镧系元素化合物中的至少一些，以形成该含镧系元素薄膜。
Ln(R1xCp)2(A)y……(1)
(在通式(1)中：
Ln是Nd、Eu、Dy、Tm、或Yb；
R1独立地是甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、或叔戊基；
Cp是环戊二烯基；
A是含有氧、硫、磷、或氮的直链或环状的烃；
x是2至3的整数；并且
y是0至2。)
Sm(R2xCp)2(A)y……(2)
(在通式(2)中：
R2独立地是正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、或叔戊基；
Cp是环戊二烯基；
A是含有氧、硫、磷、或氮的直链或环状的烃；
x是2至3的整数；并且
y是0至2。)
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司，未经乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980015311.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
