[发明专利]在双极静电卡盘的部分上具有电极的双极静电卡盘

权利要求书

1.一种用于保持大面积基板的双极静电卡盘，所述大面积基板的各侧具有2000mm或更大的尺寸，所述双极静电卡盘包含：

底座；

下部介电层，形成于所述底座的整个上部表面上；

边缘电极部分，沿着边沿形成在所述下部介电层的上部侧上，所述边缘电极部分包括第一电极和第二电极，所述第二电极与所述第一电极分隔开且具有与所述第一电极的极性不同的极性；和

上部介电层，形成于所述下部介电层和所述边缘电极部分的上部侧上，

其中，在平面图中，所述双极静电卡盘划分成边缘电极形成区域和中心区域，所述边缘电极形成区域对应至从边缘至所述边缘电极部分的区域，且所述中心区域对应至除了所述边缘电极形成区域之外的区域，且所述边缘电极形成区域的面积(A)在所述双极静电卡盘的总面积的20％至35％的范围中。

2.如权利要求1所述的双极静电卡盘，进一步包含：

中心电极部分，形成于所述下部介电层的所述上部侧上的中心中，且包括第三电极和第四电极，所述第四电极与所述第三电极分隔开且具有与所述第三电极的极性不同的极性，

其中所述上部介电层形成于所述下部介电层、所述边缘电极部分和所述中心电极部分的上部侧上，且在所述平面图中，由所述中心电极部分的外部边界限定的中心电极形成区域的面积(B)在所述双极静电卡盘的所述总面积的2％至5％的范围中。

3.一种用于保持大面积基板的双极静电卡盘，所述大面积基板的各侧具有2000mm或更大的尺寸，所述双极静电卡盘包含：

底座；

下部介电层，形成于所述底座的整个上部表面上；

边缘电极部分，沿着边沿形成在所述下部介电层的上部侧上，所述边缘电极部分包括第一电极和第二电极，所述第二电极与所述第一电极分隔开且具有与所述第一电极的极性不同的极性；

中心电极部分，形成于所述下部介电层的所述上部侧上的中心中，且包括第三电极和第四电极，所述第四电极与所述第三电极分隔开且具有与所述第三电极的极性不同的极性；和

上部介电层，形成于所述下部介电层、所述边缘电极部分和所述中心电极部分的上部侧上，

其中，在平面图中，所述双极静电卡盘划分成边缘电极形成区域、中心电极形成区域和中心区域，所述边缘电极形成区域对应至从边缘至所述边缘电极部分的区域，所述中心电极形成区域由所述中心电极部分的外部边界限定，且所述中心区域对应至除了所述边缘电极形成区域和所述中心电极形成区域之外的区域，其中当所述总面积在2200mm*2500mm至3100mm*3400mm的范围中时，所述边缘电极形成区域具有200mm的宽度，且所述中心电极形成区域具有300mm*300mm的面积。

4.如权利要求1所述的双极静电卡盘，其中所述上部介电层包含：

第一上部介电层，形成于所述边缘电极部分上；和

第二上部介电层，在所述中心区域中连接至所述下部介电层，且

其中所述第一上部介电层具有比所述第二上部介电层的介电常数更高的介电常数，或具有比所述第二上部介电层的比电阻值更小的比电阻值。

5.如权利要求2或3所述的双极静电卡盘，其中所述上部介电层包含：

第一上部介电层，形成于所述边缘电极部分上；

第二上部介电层，在所述中心区域中连接至所述下部介电层；和

第三上部介电层，形成于所述中心电极部分上，

其中所述第一上部介电层和所述第三上部介电层具有比所述第二上部介电层的介电常数更高的介电常数，或具有比所述第二上部介电层的比电阻值更低的比电阻值。

6.如权利要求1或4的任一项所述的双极静电卡盘，其中所述上部介电层包含：

第四上部介电层，在所述中心区域中连接至所述下部介电层；和

第五上部介电层，形成于所述边缘电极部分和所述第四上部介电层的上部侧上，

其中所述第五上部介电层具有比所述第四上部介电层的介电常数更高的介电常数，或具有比所述第四上部介电层的比电阻值更小的比电阻值。