[发明专利]等离子处理装置以及晶片处理方法

权利要求书

1.一种晶片处理方法，具备如下工序：

对载置在配置于处理室内的样品台的上表面的处理对象的晶片照射光或电磁波，来加热预先形成于该晶片上表面的膜层的上表面的该膜层的化合物层而将其去除，

所述晶片处理方法的特征在于，

在所述工序中，接受由所述晶片的上表面反射的所述光或所述电磁波，对于表示该光或该电磁波的以波长为参数的强度的时间变化的信号，使用在所述样品台的所述上表面的外周侧的部位接受所述光或所述电磁波而检测到的该光或该电磁波的强度的信息进行补正，从而判定所述膜层的剩余膜厚或所述工序的终点。

2.根据权利要求1所述的晶片处理方法，其特征在于

根据接受来自所述晶片的上表面的所述光或所述电磁波的干涉波而检测到的该光或该电磁波的以波长为参数的强度的时间变化，来判定所述膜层的剩余膜厚或所述工序的终点。

3.根据权利要求1或2所述的晶片处理方法，其特征在于，

多次重复进行去除所述化合物层的所述工序，在该多次工序的各次工序开始和结束时，使所述电磁波的照射开始以及结束。

4.根据权利要求1或2所述的晶片处理方法，其特征在于，

所述晶片处理方法具备如下工序：

该工序在去除所述化合物层的工序之前实施，将使用等离子形成的活性种供给到所述晶片的上表面来形成所述化合物层。

5.根据权利要求1或2所述的晶片处理方法，其特征在于。

所述晶片处理方法具备如下工序：

该工序在去除所述化合物层的工序之前实施，将使用等离子形成的活性种供给到所述晶片的上表面来形成所述化合物层，

将包含形成该化合物层的工序和去除所述化合物层的工序在内的多个工序作为1个循环，多次实施该循环。

6.一种等离子处理装置，其特征在于，具备：

真空容器内部的处理室；

样品台，配置于该处理室内，在上表面载置并保持处理对象的晶片；

等离子形成室，配置于所述真空容器内部的所述处理室上方，使用供给到内部的气体来形成等离子；

导入路，将该等离子形成室与所述处理室之间连通，使所述等离子内的反应性粒子通过内侧而被导入到所述处理室内，在所述样品台的上表面上方具有下部的开口；

加热器，在所述处理室的上方的所述导入路的外周侧将其包围而配置，照射对所述晶片进行加热的光或电磁波；

导入板，配置于所述导入路内部，在外周部具有使所述反应性粒子通过内部的多个贯通孔，并具有由透过所述光或所述电磁波的材料构成的平板状的中央部；和

第1检测器，配置于所述等离子形成室上部，接受由所述晶片反射并透过所述导入板的中央部的所述光或所述电磁波，并检测其强度的变化。

7.根据权利要求6所述的等离子处理装置，其特征在于，

所述等离子处理装置具备：

第2检测器，配置于所述样品台的所述上表面的外周侧，接受所述光或所述电磁波，并检测该光或该电磁波的强度；和

判定器，使用利用所述第2检测器检测到的结果进行补正后的所述第1检测器检测到的结果，来判定由所述加热器加热所述晶片而实施的处理的终点或该晶片上表面的处理对象的膜层的剩余膜厚。

8.根据权利要求7所述的等离子处理装置，其特征在于，

所述等离子处理装置具备：

发光器，配置于所述等离子形成室的上部，通过所述导入板的所述中央部来对所述晶片上表面照射光或电磁波；以及

第3检测器，接受照射后由所述晶片反射而通过所述导入板的所述中央部的所述光或所述电磁波，来检测该光或该电磁波的强度的时间变化，

所述判定器使用所述第3检测器检测到的结果，来判定由所述加热器加热所述晶片而实施的处理的终点或所述晶片上表面的处理对象的膜层的剩余膜厚。

9.根据权利要求8所述的等离子处理装置，其特征在于，

所述第3检测器以及所述发光器从上方来看配置于比所述第1检测器更靠所述晶片的径向的外周侧的位置。