[发明专利]低温结合结构

权利要求书

1.一种微电子组件，包括：

第一衬底，所述第一衬底具有结合表面，所述第一衬底的所述结合表面具有平坦化形貌；

第一多个金属特征，所述第一多个金属特征位于所述第一衬底的所述结合表面处；

第二衬底，所述第二衬底具有结合表面，所述第二衬底的所述结合表面具有平坦化形貌并且结合到所述第一衬底的所述结合表面；和

第二多个金属特征，所述第二多个金属特征位于所述第二衬底的所述结合表面处并且结合到所述第一多个金属特征，所述第一多个金属特征和/或所述第二多个金属特征除任何阻挡层(如果存在)之外还包括两种或更多种导电材料。

2.根据权利要求1所述的微电子组件，还包括第一凹陷部分，所述第一凹陷部分设置在所述第一多个金属特征的表面中并且在所述第一衬底的所述结合表面下方延伸预选深度，所述第一凹陷部分至少部分地填充有第一导电材料，所述第一导电材料不同于所述第一多个金属特征的导电材料。

3.根据权利要求2所述的微电子组件，还包括第二凹陷部分，所述第二凹陷部分设置在所述第二多个金属特征的表面中并且在所述第二衬底的所述结合表面下方延伸预选深度，所述第二凹陷部分至少部分地填充有第二导电材料，所述第二导电材料不同于所述第二多个金属特征的导电材料。

4.根据权利要求3所述的微电子组件，还包括设置在所述第一凹陷部分和/或所述第二凹陷部分内的阻挡层，所述阻挡层包括第三导电材料，所述第三导电材料不同于所述第一导电材料或所述第二导电材料并且不同于所述第一多个金属特征或所述第二多个金属特征的所述导电材料。

5.根据权利要求3所述的微电子组件，还包括设置在所述第一多个金属焊盘和所述第二多个金属焊盘之间的合金块，所述合金块包括所述第一导电材料和所述第二导电材料的合金。

6.根据权利要求5所述的微电子组件，其中所述合金块的熔点高于所述第一导电材料和所述第二导电材料的相应熔点。

7.根据权利要求5所述的微电子组件，其中所述第一多个金属特征或所述第二多个金属特征与所述合金块之间的区域具有非线性材料组成。

8.根据权利要求1所述的微电子组件，其中在没有粘合剂的情况下经由直接结合将所述第二衬底的所述结合表面结合到所述第一衬底的所述结合表面。

9.一种微电子组件，包括：

第一衬底，所述第一衬底具有表面和第一导电互连结构；

第二衬底，所述第二衬底具有表面和第二导电互连结构，所述第一衬底结合到所述第二衬底并且所述第一导电互连结构结合到所述第二导电互连结构；和

导电合金块，所述导电合金块耦接所述第一导电互连结构和所述第二导电互连结构，其中所述导电合金块包括第一材料、第二材料和第三材料，所述第三材料被选择为增加包括所述第三材料以及所述第一材料或所述第二材料中的至少一者的合金的熔点，其中所述第一材料的浓度从朝向所述第一导电互连结构设置的位置处的相对较高量变化到朝向所述第二导电互连结构的相对较低量，其中所述第二材料的浓度在浓度上从朝向所述第二导电互连结构设置的位置处的相对较高量变化到朝向所述第一导电互连结构的相对较低量，并且其中所述第三材料在所述第一材料的第一最高浓度和所述第二材料的第二最高浓度之间的位置处具有最高浓度。

10.根据权利要求9所述的微电子组件，还包括设置在所述第一导电互连结构的表面中的第一凹陷部分以及设置在所述第二导电互连结构的表面中的第二凹陷部分，所述第一凹陷部分至少部分地填充有所述第一材料并且所述第二凹陷部分至少部分地填充有所述第二材料。

11.根据权利要求10所述的微电子组件，还包括设置在所述第一凹陷部分和/或所述第二凹陷部分内的导电阻挡层。