[发明专利]使用电场的电可重构的光学设备

权利要求书

1.一种电可程控的反射器，包括：

电可重构的光学元件的二维阵列，所述电可重构的光学元件包含相变相关的钙钛矿镍酸盐或氧化钨，其中，所述电可重构的光学元件的一种或多种光学性质能通过电场重构，使得含有相变镍酸盐或氧化钨的电可重构的光学元件的折射率在红外波长下能改变。

2.根据权利要求1所述的电可程控的反射器，其中，所述电可重构的光学元件不能相对于彼此机械地移动。

3.根据权利要求1所述的电可程控的反射器，其中，包含所述相变相关的钙钛矿镍酸盐或氧化钨的电可重构的光学元件的折射率能改变大于0.1。

4.根据权利要求1所述的电可程控的反射器，其中，包括所述相变相关的钙钛矿镍酸盐或氧化钨的电可重构光学元件的折射率能改变超过1。

5.根据权利要求1所述的电可程控的反射器，其中，所述相变相关的钙钛矿镍酸盐包括GdNiO₃、EuNiO₃、SmNiO₃、NdNiO₃和PrNiO₃中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的电可程控的反射器，其中，所述电可程控的反射器被配置为用施加的电场激发所述电可重构的光学元件的折射率改变大于0.1。

7.根据权利要求1所述的电可程控的反射镜或聚焦镜，还包括紧邻所述电可重构的光学元件设置的高K介电层。

8.根据权利要求7所述的电可程控的反射镜或聚焦镜，其中，所述高K介电层包括钛酸锶钡、钛酸钡和钛酸锶中的至少一种。

9.一种光学设备，包括：

一个或多个包含相变镍酸盐或氧化钨的电可重构的光学元件，其中，所述电可重构的光学元件的一种或多种光学性质能通过电场重构，使得包含所述相变镍酸盐或氧化钨的电可重构的光学元件的折射率在红外波长下能改变大于0.1。

10.根据权利要求9所述的光学设备，其中，包含所述相变镍酸盐或氧化钨的电可重构的光学元件具有钙钛矿结构。

11.根据权利要求9所述的光学设备，其中，所述相变镍酸盐包括GdNiO₃、EuNiO₃、SmNiO₃、NdNiO₃和PrNiO₃中的至少一种。

12.根据权利要求9所述的光学设备，其中，所述光学设备被配置为用施加的电场激发所述电可重构的光学元件的折射率变化大于0.1。

13.根据权利要求9所述的光学设备，还包括紧邻所述电可重构的光学元件设置的高K介电层。

14.根据权利要求13所述的光学设备，其中，所述高K介电层包括钛酸锶钡、钛酸钡或钛酸锶中的至少一种。

15.一种光学设备，包括：

包含至少一种相变材料的电可重构的光学层，其中，所述相变材料在预定波长范围内的光学性质能通过电场重构；

顶部电极和底部电极，所述顶部电极和所述底部电极被配置为向所述电可重构的光学层施加电场，其中，所述电可重构的光学层设置在光学透明的顶部电极和所述底部电极之间，并且所述顶部电在所述波长范围内是光学透明的；以及

高K介电层，所述高K介电层设置在所述电可重构的光学层与所述顶部电极和所述底部电极中的至少一者之间。

16.根据权利要求15所述的光学设备，其中，所述电可重构的光学层的相变材料包含相变镍酸盐或氧化钨。