[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，在同一平面上包括：

第一区域；以及

第二区域，

其中，所述第一区域包括晶体管，

所述第二区域包括伪晶体管，

所述晶体管包括第一布线层、配置在所述第一布线层的上方的包含氧化物的半导体层、配置在所述半导体层的上方的第二布线层及配置在所述第二布线层的上方的第三布线层，

并且，所述伪晶体管具有与选自所述第一布线层、所述第二布线层、所述半导体层及所述第三布线层中之一个或多个相同的面积。

2.一种半导体装置，在衬底上包括：

第一区域；以及

第二区域，

其中，所述第一区域包括多个第一晶体管及伪晶体管，

所述第二区域包括多个第二晶体管，

并且，所述第一区域中的所述多个第一晶体管和所述伪晶体管的总图案密度与所述第二区域中的所述多个第二晶体管的图案密度相等。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，

其中所述第一晶体管和所述第二晶体管具有相同结构，

并且所述第一晶体管所具有的结构体与所述伪晶体管所具有的结构体包含相同材料，并配置在同一层中。

4.根据权利要求2或权利要求3所述的半导体装置，

其中所述第一晶体管包括第一氧化物及第一导电体，

所述伪晶体管包括第二氧化物，

并且所述第一晶体管和所述伪晶体管相邻地配置，且所述第一导电体包括与所述第一氧化物及所述第二氧化物重叠的区域。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，

其中所述第一导电体与所述第一氧化物及所述第二氧化物接触。

6.根据权利要求2或权利要求3所述的半导体装置，

其中所述第一晶体管包括第一氧化物，

所述第一氧化物包括高电阻区域及低电阻区域，

并且所述伪晶体管包括低电阻化了的第二氧化物。

7.根据权利要求4至权利要求6中的任一项所述的半导体装置，

其中所述第一氧化物或所述第二氧化物包含In、元素M(M是Al、Ga、Y或Sn)及Zn。