[发明专利]纳米结构薄膜材料及其制造和用途在审

专利信息
申请号: 201980016261.3 申请日: 2019-02-11
公开(公告)号: CN111788329A 公开(公告)日: 2020-10-16
发明(设计)人: 罗伯特·辛普森;董伟玲 申请(专利权)人: 新加坡科技与设计大学
主分类号: C23C14/06 分类号: C23C14/06;B82Y15/00;B82Y30/00;C23C14/14;C23C14/34;H01L21/02;H01L31/0264;H01L31/0352;G01N21/59;B82Y40/00
代理公司: 北京世峰知识产权代理有限公司 11713 代理人: 康健;王思琪
地址: 新加坡*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 纳米 结构 薄膜 材料 及其 制造 用途
【权利要求书】:

1.一种制造自组织纳米结构薄膜的方法,包括以下步骤:

在低压室中提供衬底;和

沉积等离激元-硫属化物材料,以在所述衬底上形成所述自组织纳米结构薄膜,

其中等离激元材料与硫属化物材料之比大于3:2,并且其中所述低压室的压力小于大气压。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述沉积步骤包括控制用于所述自组织纳米结构薄膜的等离激元材料和硫属化物材料的成分,以使所述等离激元材料的原子浓度为40%至95%的范围。

3.根据权利要求1或2所述的方法,其中,所述沉积步骤包括在室温下从单个等离激元-硫属化物靶沉积等离激元材料和硫属化物材料。

4.根据权利要求1或2所述的方法,其中,所述沉积步骤包括在室温下同时从多个靶或单个合金靶沉积等离激元材料和硫属化物材料。

5.根据权利要求1或2所述的方法,其中,沉积速率为的范围。

6.根据权利要求5所述的方法,其中,所述沉积速率为的范围。

7.根据权利要求6所述的方法,其中,所述沉积速率为的范围。

8.根据权利要求4所述的方法,其中所述多个靶中的一个或多个包含所述等离激元材料,并且其中来自所述所述多个靶中的所述一个或多个的等离激元材料的沉积速率为的范围。

9.根据权利要求8所述的方法,其中,所述沉积速率为的范围。

10.根据权利要求9所述的方法,其中,所述沉积速率为的范围。

11.根据权利要求1-3或5-7中任一项所述的方法,其中,所述沉积步骤包括在0.1-1.0Pa的溅射压力下溅射所述等离激元-硫属化物材料。

12.根据权利要求11所述的方法,其中所述沉积步骤包括在0.2-0.5Pa的溅射压力下溅射所述等离激元-硫属化物材料。

13.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,所述沉积步骤包括沉积大于300秒且足以限定所述自组织纳米结构薄膜厚度的时间段,所述厚度足以限定其中的三维结构。

14.根据权利要求13所述的方法,其中,所述沉积步骤包括溅射900-3600秒的时间段。

15.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中等离激元材料包括:选自银、铜、金、铂和铝的金属或者包含选自钛或锆的金属的金属氮化物,或者选自氧化铟锡、氧化铝锌和氧化镓锌的透明导电氧化物。

16.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中硫属化物材料包括选自三硫化二锑、三硒化二锑、三硫化二铋、三硒化二铋或二硫化锗的硫属化物材料。

17.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,提供所述衬底的步骤包括提供柔性衬底。

18.根据权利要求17所述的方法,其中,所述提供柔性衬底的步骤包括提供包含选自塑料、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚噻吩(P3HT)的材料的柔性衬底。

19.根据前述权利要求中任一项所述的方法,其中,所述沉积步骤包括沉积等离激元材料和硫属化物材料,以在所述衬底上形成面积为10cm2或更大并且更优选在所述衬底上面积大于80cm2的自组织纳米结构薄膜。

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