[发明专利]铁电随机存取存储器感测方案有效

专利信息
申请号: 201980016283.X 申请日: 2019-02-15
公开(公告)号: CN111801737B 公开(公告)日: 2021-07-20
发明(设计)人: 艾伦·德维尔比斯;乔纳森·拉赫曼 申请(专利权)人: 赛普拉斯半导体公司
主分类号: G11C11/22 分类号: G11C11/22
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 张瑞;杨明钊
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 随机存取存储器 方案
【权利要求书】:

1.一种方法,包括:

选择铁电存储器单元用于读操作;

将第一脉冲信号耦合到选定铁电存储器单元并询问所述选定铁电存储器单元,所述选定铁电存储器单元响应于所述第一脉冲信号而向位线输出存储器信号;

经由所述位线将所述存储器信号耦合到感测放大器的第一输入端;

在所述第一脉冲信号被无效之后,使所述感测放大器与所述选定铁电存储器单元电气地隔离,其中,通过使耦合到所述选定铁电存储器单元的传输晶体管的栅极的第一字线信号无效来在所述选定铁电存储器单元内在本地执行电气地隔离所述感测放大器;以及

在所述感测放大器与所述选定铁电存储器单元电气地隔离之后启用所述感测放大器用于感测,其中,所述第一字线信号在所述感测放大器被启用的时间段期间被无效。

2.根据权利要求1所述的方法,还包括:

将参考信号耦合到所述感测放大器的第二输入端。

3.根据权利要求1所述的方法,还包括:

将第二脉冲信号耦合到互补铁电存储器单元并询问所述互补铁电存储器单元,所述互补铁电存储器单元响应于所述第二脉冲信号而向反相位线输出互补信号;以及

经由所述反相位线将所述互补信号耦合到所述感测放大器的第二输入端。

4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述选定铁电存储器单元具有单晶体管单电容器(1T1C)配置。

5.根据权利要求1所述的方法,其中,使用晶体管沿着所述位线进一步执行使所述感测放大器与所述选定铁电存储器单元电气地隔离。

6.根据权利要求3所述的方法,其中,在所述感测放大器与所述互补铁电存储器单元电气地隔离之后执行启用所述感测放大器用于感测。

7.根据权利要求3所述的方法,其中,所述第一脉冲信号和第二脉冲信号是分别具有Vss的低振幅和VDD的高振幅的奇异方波脉冲信号。

8.根据权利要求6所述的方法,其中,通过使耦合到所述互补铁电存储器单元的传输晶体管的栅极的第二字线信号无效来执行在所述感测放大器和所述互补铁电存储器单元之间的电隔离。

9.一种存储器设备,包括:

第一存储器单元,所述第一存储器单元包括耦合到第一传输晶体管的第一铁电电容器;

第一极板线,所述第一极板线耦合到所述第一铁电电容器的两个极板之一;

第一位线,所述第一位线将所述第一传输晶体管耦合到感测放大器;以及

第一字线,所述第一字线耦合到所述第一传输晶体管的栅极;

其中,在所述第一存储器单元的读操作期间,在所述感测放大器被启用用于感测操作之前和在所述感测放大器被启用用于感测操作的时间段期间,在所述第一字线上的第一字线信号被无效。

10.根据权利要求9所述的存储器设备,其中,所述第一存储器单元具有单晶体管单电容器(1T1C)配置,并且其中所述感测放大器的所述感测操作将从所述第一存储器单元输出的存储器信号的振幅与参考信号进行比较。

11.根据权利要求9所述的存储器设备,还包括:

第二存储器单元,所述第二存储器单元包括耦合到第二传输晶体管的第二铁电电容器,其中,所述第一存储器单元和第二存储器单元形成具有双晶体管双电容器(2T2C)配置的互补存储器单元;

第二极板线,所述第二极板线耦合到所述第二铁电电容器的两个极板之一;

第二位线,所述第二位线将所述第二传输晶体管耦合到所述感测放大器;以及

第二字线,所述第二字线耦合到所述第二传输晶体管的栅极;

其中,在所述第一存储器单元的读操作期间,在所述感测放大器被启用用于所述感测操作之前,在所述第二字线上的第二字线信号被无效。

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