[发明专利]用于形成氮化铝层的方法

权利要求书

1.一种用于形成氮化铝层的方法，包括以下步骤：

提供衬底(100)；

在所述衬底(100)上形成金属氮化物层；

对所述金属氮化物层进行图案化以形成残余金属氮化物层(110)并暴露所述衬底的一部分(101)；

在所述衬底的经暴露的所述部分(101)上形成金属层(210)；

在所述金属层(210)上和所述金属氮化物层(110)上方形成氮化铝(310，320)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成氮化铝的步骤包括：与在所述残余金属氮化物层(110)的区域中沉积具有较低水平的压电性质的氮化铝层相比，在所述衬底的经暴露的所述部分(101)的区域中沉积具有较高水平的压电性质的氮化铝层。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中形成氮化铝的步骤包括：在所述衬底的经暴露的所述部分(101)的区域中和所述残余金属氮化物层(110)的区域中同时沉积氮化铝。

4.根据权利要求1或3中任一项所述的方法，包括：在所述残余金属氮化物层(110)上和所述衬底的经暴露的所述部分(101)上形成所述金属层(210)，并且然后在所述金属层(210)上形成氮化铝(310，320)。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中对所述金属氮化物层进行图案化的步骤包括：光刻过程，所述光刻过程包括以下各项中的一项或多项：利用光致抗蚀剂层涂覆所述金属氮化物层、利用辐射的图案暴露所述光致抗蚀剂层、对经暴露的所述光致抗蚀剂层进行显影、移除经显影的所述光致抗蚀剂层或未显影的所述光致抗蚀剂层的部分以暴露所述金属氮化物层的部分、对所述金属氮化物层的经暴露的所述部分进行蚀刻以及剥离残余光致抗蚀剂层。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中形成氮化铝的步骤包括：在所述衬底的经暴露的所述部分(101)的区域中沉积具有晶体性质和/或柱状性质和/或C轴取向的氮化铝，以及在所述残余金属氮化物层(110)的区域中沉积具有无定形性质或非晶体性质的氮化铝。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中金属氮化物层的形成包括：氮化钛层的形成。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中金属层的形成包括：铝和钨的夹层形成、或者铝铜合金和钨的夹层的形成、或者钼、钌、铱和铂中的一项或多项的组合物的形成。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中提供衬底的步骤包括：提供具有电介质材料的顶部层(620)的工件。

10.根据权利要求9所述的方法，其中提供衬底的步骤包括：提供具有二氧化硅的顶部层(620)的工件。

11.根据权利要求9所述的方法，其中提供衬底的步骤包括：提供包括布拉格反射镜布置(610，611，612)的工件，其中所述布拉格反射镜布置包括二氧化硅的顶部层(620)。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，在形成氮化铝的步骤之前，还包括：从所述金属层(210)移除氧。