[发明专利]具有超宽带性能的多层陶瓷电容器

权利要求书

1.一种多层陶瓷电容器，包括：

沿着所述电容器的第一端设置的第一外部端子；

沿着所述电容器的第二端设置的第二外部端子，所述第二端在纵向方向上与所述第一端相对；

包含交替的电介质层和有源电极层的有源电极区域；以及

包含至少两个屏蔽电极的屏蔽电极区域，所述至少两个屏蔽电极在所述纵向方向上通过屏蔽层间隙间隔开；

其中：

从所述有源电极区域到所述屏蔽电极区域的距离为所述电容器在顶表面和与所述顶表面相对的底表面之间的厚度的4％到20％；并且

在所述顶表面或所述底表面中的至少一个上，所述屏蔽层间隙的范围为在所述纵向方向上所述第一外部端子和所述第二外部端子之间的外部端子间隙的从3％到60％。

2.如权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中所述至少两个屏蔽电极包括与所述第一外部端子连接的第一屏蔽电极和与所述第二外部端子连接的第二屏蔽电极，且第二屏蔽电极在垂直于所述纵向方向的Z方向上与所述第一屏蔽电极对准，所述第一屏蔽电极和第二屏蔽电极中的每一个具有相应的未连接的端部，它们在所述纵向方向上通过所述屏蔽层间隙间隔开。

3.如权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中从所述有源电极区域到所述顶表面的距离的范围为从所述电容器的厚度的4％到20％。

4.如权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中从所述有源电极区域到所述顶表面的距离从1.5密耳到3.2密耳。

5.如权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中从所述有源电极区域到所述屏蔽电极区域的距离的范围为从1.5密耳到3.2密耳。

6.如权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，当在从33GHz到40GHz的频率范围内测量时，所述电容器具有从0.25dB到0.55dB的插入损耗。

7.如权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，当在从23GHz到30GHz的频率范围内测量时，所述电容器具有从0.20dB到0.35dB的插入损耗。

8.如权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，当在从13GHz到20GHz的频率范围内测量时，所述电容器具有从0.15dB到0.40dB的插入损耗。

9.如权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中，当在从4GHz到10GHz的频率范围内测量时，所述电容器具有从0.1dB到0.25dB的插入损耗。

10.如权利要求1所述的多层陶瓷电容器，其中所述有源电极层包括

与所述第一外部端子电连接的第一电极，所述第一电极具有第一电极臂，所述第一电极臂包括主体部分和阶梯部分，所述主体部分具有从所述电容器的第一端延伸的横向边缘，所述阶梯部分具有从所述主体部分的横向边缘偏移的横向边缘；以及

与所述第二外部端子电连接的第二电极。

11.如权利要求10所述的多层陶瓷电容器，其中所述第一电极臂和所述第二电极间隔开以在所述第一电极臂的主体部分和所述第二电极之间形成主体间隙距离且在所述第一电极臂的阶梯部分和所述第二电极之间形成阶梯间隙距离。

12.如权利要求11所述的多层陶瓷电容器，其中所述主体间隙距离是所述电容器从所述第一外部端子到所述第二外部端子的长度的从5％到60％。

13.如权利要求11所述的多层陶瓷电容器，其中所述主体间隙距离是所述第一电极臂的主体部分的长度的50％以上。

14.如权利要求11所述的多层陶瓷电容器，其中所述阶梯间隙距离是所述电容器从所述第一外部端子到所述第二外部端子的长度的从1％到30％。