[发明专利]晶圆载置装置

说明书

本发明提供晶圆载置装置(10)，其具备：具备晶圆用静电卡盘(14)和晶圆用冷却板(16)的晶圆载置台(12)；具备聚焦环用静电卡盘(22)和聚焦环用冷却板(24)的聚焦环载置台(20)；以及配置于聚焦环载置台(20)的外周的夹紧部件(30)。晶圆载置台(12)、聚焦环载置台(20)以及夹紧部件(30)分别分体。聚焦环用冷却板(24)的按压部(24b)将晶圆用冷却板凸缘部(16a)朝向设置板(82)按压。夹紧部件(30)在利用凸缘部(32)将凸缘部(24a)朝向设置板(82)按压的状态下利用螺栓(86)紧固于设置板(82)，由此将晶圆载置台(12)及聚焦环载置台(20)不直接紧固于设置板(82)地固定于设置板(82)。

技术领域

本发明涉及晶圆载置装置。

背景技术

一直以来，为了利用等离子对晶圆进行CVD、蚀刻等而使用晶圆载置装置。例如，在专利文献1公开了一种晶圆载置装置，其具备连结圆盘状的中心侧金属基底和圆环状的外周侧金属基底的金属基底、设于中心侧金属基底的上表面的圆盘状的中心侧静电卡盘加热器、以及设于外周侧金属基底的上表面的圆环状的外周侧静电卡盘加热器。在该晶圆载置装置中，在中心侧静电卡盘加热器的上表面静电吸附圆盘状的晶圆，并且在外周侧静电卡盘加热器的上表面静电吸附圆环状的聚焦环。另外，晶圆的温度和聚焦环的温度分别可单独地控制。

另一方面，也已知类有似于图6所示的晶圆载置装置510。该晶圆载置装置510具备晶圆载置台512和聚焦环载置台520，且固定于腔室80内的设置板82。晶圆载置台512具备晶圆用静电卡盘514和粘接于晶圆用静电卡盘514中的与载置晶圆W的表面514a相反的一侧的面的晶圆用冷却板516。若对内置于晶圆用静电卡盘514的静电电极施加直流电压，则晶圆W被静电吸附于表面514a。聚焦环载置台520与晶圆载置台512分体，为配置于晶圆载置台512的外周的环状的部件。聚焦环载置台520具备聚焦环用静电卡盘522和粘接于聚焦环用静电卡盘522中的与载置聚焦环FR的表面522a相反的一侧的面的聚焦环用冷却板524。聚焦环FR是厚度比晶圆W厚的部件，且当对内置于聚焦环用静电卡盘522的静电电极施加直流电压时，被静电吸附于表面522a。晶圆用冷却板516具备从接近供晶圆载置装置510设置的设置板82的一侧的端部向半径外向突出的晶圆用冷却板凸缘部516a。在晶圆用冷却板凸缘部516a沿周向设有多个贯通孔516b。在将聚焦环用冷却板524的设于背面的凸部524a嵌入贯通孔516b的状态下，从设置板82的背面将螺栓84紧固于凸部524a的螺纹孔，由此晶圆载置台512经由聚焦环载置台520固定于设置板82。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016－207979号公报

发明内容

发明所要解决的课题

但是，在晶圆载置装置510中，如图7所示，有时在聚焦环载置台520的表面522a中的螺栓84的正上方附近和除此之外的部分在高度上产生差，表面522a沿周向起伏。图7中，表面522a中的螺栓84的正上方附近(高度低的部分)用半色调网点表示，之外的部分(高度高的部分)用白色表示。若表面522a沿周向起伏，则即使想要通过聚焦环用静电卡盘522使聚焦环FR吸附于表面522a，由于聚焦环FR具有厚度，因此也仅局部性地吸附，存在聚焦环FR的温度调整困难的问题。

本发明为了解决这样的课题而做成，目的在于防止聚焦环载置面沿周向起伏。

用于解决课题的方案

本发明的晶圆载置装置具备：

晶圆载置台，其具备晶圆用静电卡盘和安装于该晶圆用静电卡盘的与晶圆载置面相反的一侧的面的晶圆用冷却板；

聚焦环载置台，其与上述晶圆载置台分体，配置于上述晶圆载置台的外周，且具备聚焦环用静电卡盘和配置于该聚焦环用静电卡盘的与聚焦环载置面相反的一侧的面的聚焦环用冷却板；以及