[发明专利]测定背散射电子能谱的装置及方法在审
申请号: | 201980016742.4 | 申请日: | 2019-03-01 |
公开(公告)号: | CN111801764A | 公开(公告)日: | 2020-10-20 |
发明(设计)人: | 嘉藤诚;佐佐木澄夫;田中幸浩;山崎裕一郎 | 申请(专利权)人: | 塔斯米特株式会社 |
主分类号: | H01J37/05 | 分类号: | H01J37/05;G01N23/20;H01J37/09;H01J37/244;H01J37/28;H01J37/29 |
代理公司: | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人: | 刘煜 |
地址: | 日本神奈川县横浜*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 测定 散射 电子 装置 方法 | ||
1.一种装置,其特征在于,具备:
电子束源,其用于产生一次电子束;
电子光学系统,其使所述一次电子束引导至试样地会聚并偏转;以及
能量分析系统,其能够检测从所述试样产生的背散射电子的能谱,
所述能量分析系统包括:
维恩过滤器,其使所述背散射电子分散;
检测器,其用于测定由所述维恩过滤器分散的背散射电子的能谱;以及
动作控制部,其一边使所述维恩过滤器的四极场的强度变化,一边与所述四极场的强度的变化同步地使所述检测器的所述背散射电子的检测位置移动。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,
所述动作控制部以背散射电子在所述检测位置上聚焦的方式一边使所述维恩过滤器的四极场的强度变化,一边与所述四极场的强度的变化同步地使所述检测器的所述背散射电子的检测位置移动。
3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,
所述能量分析系统还具备像散校正器,该像散校正器配置在所述电子束源和所述维恩过滤器之间,所述像散校正器与所述四极场的强度的变化同步地进行动作,以消除一次电子束的像散像差。
4.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,
所述能量分析系统还具备分流器,该分流器配置在所述维恩过滤器的出口侧,
所述分流器具有狭缝,该狭缝具有在所述背散射电子的分散方向上延伸的狭缝。
5.一种装置,其特征在于,具备:
电子束源,其用于产生一次电子束;
电子光学系统,其使所述一次电子束引导至试样地会聚并偏转;以及
能量分析系统,其能够检测从所述试样产生的背散射电子的能谱,
所述能量分析系统包括:
维恩过滤器,其使所述背散射电子分散;
检测器,其用于测定由所述维恩过滤器分散的背散射电子的能谱,
所述检测器具有检测面,该检测面与所述分散的背散射电子的每个能量的聚焦位置实质上一致。
6.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,
所述检测器的检测面为曲面或平面。
7.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,
所述能量分析系统还具备像散校正器,该像散校正器配置在所述电子束源和所述维恩过滤器之间。
8.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,
所述能量分析系统还具备分流器,该分流器配置在所述维恩过滤器的出口侧,
所述分流器具有狭缝,该狭缝在所述背散射电子的分散方向上延伸。
9.一种方法,其特征在于,
将由电子束源产生的一次电子束引导到试样,
通过维恩过滤器分散从所述试样产生的背散射电子,
用检测器测定所述分散的背散射电子的能谱,
在所述能谱的测定中,一边使所述维恩过滤器的四极场的强度变化,一边与所述四极场的强度的变化同步地使所述检测器的所述背散射电子的检测位置移动。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,
一边使所述维恩过滤器的四极场的强度变化,一边与所述四极场的强度的变化同步地使所述检测器的所述背散射电子的检测位置移动的工序是在所述能谱的测定中,以背散射电子在所述检测位置上聚焦的方式一边使所述维恩过滤器的四极场的强度变化,一边与所述四极场的强度的变化同步地使所述检测器的所述背散射电子的检测位置移动的工序。
11.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,
还包括如下工序:与所述四极场的强度的变化同步地用像散校正器消除一次电子束的像散像差。
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