[发明专利]用于有机电致发光器件的材料

说明书

本发明涉及适用于电子器件、特别是有机电致发光器件中的式(1)化合物，并且涉及包含这些化合物的电子器件。

本发明涉及一种式(1)化合物、所述化合物在电子器件中的用途以及包含式(1)化合物的电子器件。本发明还涉及一种包含一种或多种式(1)化合物的制剂。

用于电子器件的功能性化合物的开发目前是深入研究的主题。其目的特别是开发如下化合物，用所述化合物可以实现电子器件在一个或多个相关方面的改进特性，诸如器件的功率效率和寿命以及发射光的色坐标。

根据本发明，术语电子器件被认为尤其指有机集成电路(OIC)、有机场效应晶体管(OFET)、有机薄膜晶体管(OTFT)、有机发光晶体管(OLET)、有机太阳能电池(OSC)、有机光学检测器、有机光感受器、有机场猝熄器件(OFQD)、有机发光电化学电池(OLEC)、有机激光二极管(O-laser)以及有机电致发光器件(OLED)。

特别令人感兴趣的是提供用于最后提及的称为OLED的电子器件中的化合物。OLED的一般结构和功能原理是本领域技术人员已知的，并且例如在US 4539507中进行了描述。

已知具有空穴传输性功能的层(空穴传输性层)，例如空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层对电子器件的性能数据有很大影响。

实际上，OLED的效率和寿命尤其取决于器件中电子和空穴的电荷-载流子平衡。此平衡通过器件中电荷-载流子分布和相关场分布来建立。

有效的空穴注入是OLED制造中的主要挑战。常用的透明阳极材料氧化锡铟的逸出功的绝对值通常低于常见空穴传输材料的最高占据分子轨道(HOMO)能量的绝对值。

因此，对于将空穴注入到空穴传输层中存在势垒，这导致OLED的工作电压增加。此问题通常通过用p型掺杂剂掺杂空穴传输层(例如，如WO 2014/056565中)，或在阳极与空穴传输层之间施加空穴注入层(例如，如在WO 2001/49806中)来解决。

为了获得良好的性能数据，空穴传输层中的电荷载流子的良好迁移率和良好的空穴注入特性特别重要。

现有技术公开了p型掺杂剂(电子受体化合物)与空穴传输材料的组合在OLED的空穴传输性层(空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层)中的用途。在本文中，p型掺杂剂应理解为是指当作为次要组分添加到主要组分中时显著增加其电导率的化合物。

电子受体化合物还可以用作空穴传输性层中(例如空穴注入层中)的主要组分，以获得具有特别良好的空穴注入特性的层。

现有技术中已知p型掺杂剂，以及更一般地，有机电子受体化合物，例如7,7,8,8-四氰基-2,3,5,6-四氟醌二甲烷(F4TCNQ)。现有技术还例如在WO 2011/33023中公开了过渡金属阳离子和主族金属阳离子的金属络合物作为电子受体化合物，以及例如在EP 2045848中公开了茚并芴二酮衍生物。

然而，需要可以在OLED中用作电子受体材料的替代材料。此外，仍需要对此类化合物进行进一步改进以在寿命和效率方面改进OLED性能。需要由于适当的电子特性，例如通过具有高电子亲和力而有效作为电子受体材料的材料。同时，这些材料还应表现出适当的物理化学特性，例如在溶解性和稳定性方面，以在OLED制造期间进行最佳合成、纯化和处理。这些材料还应表现出适当的形态(分子平面性)。此外，OLED中用作电子受体材料(例如在空穴注入层中用作p型掺杂剂或用作主要组分)的材料应尽可能少地吸收可见光区域(VIS区域)中的光。非常需要在VIS区域中没有明显的吸收带，因为VIS区域中的吸收会影响OLED的发光特征及其效率。

因此，本发明是基于以下技术目的：提供一种用于电子器件中的在选自空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层中的空穴传输性层中作为p型掺杂剂或作为主要组分的电子受体材料。