[发明专利]光电转换元件

权利要求书

1.一种光电转换元件，其具备：阳极、阴极、设置于该阳极和该阴极之间的活性层、以及设置于该阳极和该活性层之间的空穴传输层，

所述活性层包含p型半导体材料和n型半导体材料，所述p型半导体材料是吸收峰波长为900nm以上的高分子化合物，

所述活性层中包含的n型半导体材料的LUMO与所述空穴传输层中包含的空穴传输性材料的HOMO的能量差小于0.9eV。

2.如权利要求1所述的光电转换元件，其中，所述p型半导体材料的吸收峰波长为900nm以上2000nm以下，所述能量差为0.5eV～0.8eV。

3.如权利要求1或2所述的光电转换元件，其中，所述n型半导体材料为富勒烯衍生物。

4.如权利要求3所述的光电转换元件，其中，所述富勒烯衍生物为选自由下述式(N-a)～式(N-f)所表示的化合物组成的组中的1个以上的化合物，

[化1]

式(N-a)～式(N-f)中，

R^a表示烷基、芳基、1价杂环基或具有酯结构的基团；存在2个以上的R^a相互可以相同、也可以不同，

R^b表示烷基或芳基；存在2个以上的R^b相互可以相同、也可以不同。

5.如权利要求4所述的光电转换元件，其中，所述富勒烯衍生物为所述式(N-a)、式(N-b)、式(N-e)或式(N-f)所表示的化合物。

6.如权利要求5所述的光电转换元件，其中，所述富勒烯衍生物为C₆₀PCBM或KLOC-6。

7.如权利要求1～6中任一项所述的光电转换元件，其中，所述p型半导体材料为包含具有噻吩骨架的构成单元的高分子化合物。

8.如权利要求1～7中任一项所述的光电转换元件，其中，所述光电转换元件为光检测元件。