[发明专利]蚀刻方法和蚀刻装置

权利要求书

1.一种蚀刻方法，其特征在于，包括：

在被处理体形成第二膜的成膜步骤，其中所述被处理体具有：处理对象膜；形成于所述处理对象膜上的具有多个凸部的层；和覆盖所述多个凸部之间露出的所述处理对象膜及各所述凸部的第一膜；

第一蚀刻步骤，其以使所述第二膜残存于所述第一膜中覆盖各所述凸部的侧面的部分的状态对所述第二膜进行蚀刻；以及

第二蚀刻步骤，其在使所述第二膜残存于所述第一膜中覆盖各所述凸部的侧面的部分的状态下对所述第一膜进行蚀刻，由此使各所述凸部的顶部和所述多个凸部之间的所述处理对象膜露出。

2.如权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于：

所述第二蚀刻步骤蚀刻所述第一膜，以使在所述第一膜中覆盖各所述凸部的侧面的部分残存的所述第二膜的高度，成为各所述凸部的高度以上。

3.如权利要求1或2所述的蚀刻方法，其特征在于：

设在所述第二膜被蚀刻后所述第一膜中覆盖各所述凸部的顶部的部分的膜厚为A1，并设在所述第二膜被蚀刻后在所述第一膜中覆盖各所述凸部的侧面的部分残存的所述第二膜的、沿所述第一膜的该部分的假想面中的膜厚为B1时，

在所述第二蚀刻步骤中，所述第一膜相对于所述第二膜的选择比为A1/B1以上。

4.如权利要求1～3中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于，还包括：

除去步骤，其选择性地除去所述第一膜被蚀刻后露出的各所述凸部和残存的所述第二膜；以及

第三蚀刻步骤，其将残存的所述第一膜作为掩模对所述处理对象膜进行蚀刻。

5.如权利要求1～3中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：

还包括第四蚀刻步骤，其将所述第一膜被蚀刻后露出的各所述凸部以及残存的所述第一膜和所述第二膜作为掩模对所述处理对象膜进行蚀刻。

6.一种蚀刻装置，其特征在于，包括：

能够将被处理体送入其中的腔室，其中所述被处理体具有：处理对象膜；形成于所述处理对象膜上的具有多个凸部的层；和覆盖所述多个凸部之间露出的所述处理对象膜及各所述凸部的第一膜；

用于对所述腔室内进行减压的排气部；

用于对所述腔室内供给处理气体的气体供给部；以及

控制部，其执行：在所述被处理体形成第二膜的成膜步骤；第一蚀刻步骤，其以使所述第二膜残存于所述第一膜中覆盖各所述凸部的侧面的部分的状态对所述第二膜进行蚀刻；和第二蚀刻步骤，其在使所述第二膜残存于所述第一膜中覆盖各所述凸部的侧面的部分的状态下对所述第一膜进行蚀刻，由此使各所述凸部的顶部及所述多个凸部之间的所述处理对象膜露出。