[发明专利]蚀刻方法和等离子体处理装置

权利要求书

1.一种使用等离子体处理装置执行的蚀刻方法，该蚀刻方法在该等离子体处理装置的腔室内配置有基片的状态下执行，

所述蚀刻方法的特征在于，包括：

在所述腔室内生成包含碳氟化合物气体的处理气体的等离子体，以在所述基片上形成包含碳氟化合物的沉积物的步骤，其中，所述基片具有由含硅材料形成的第一区域和由含金属材料形成的第二区域；以及

在所述腔室内生成稀有气体的等离子体，以使得通过对所述基片供给稀有气体离子而使形成于所述基片上的所述沉积物中的碳氟化合物与所述第一区域的所述含硅材料反应来蚀刻所述第一区域的步骤，

在生成稀有气体的等离子体的步骤中，利用电磁体形成磁场的分布，该磁场的分布在所述基片的边缘侧的上方具有比所述基片的中心的上方的水平成分大的水平成分。

2.如权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于：

所述含硅材料是SiO₂、SiOC或者SiOCH。

3.如权利要求1或2所述的蚀刻方法，其特征在于：

所述含金属材料是钛、钨、锆、铝、钽、钴或钌中的任意金属材料、或者该金属材料的氧化物、氮化物或碳化物。

4.如权利要求1～3中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：

所述碳氟化合物气体包含C₄F₈气体和/或C₄F₆气体。

5.如权利要求1～4中任一项所述的蚀刻方法，其特征在于：

交替地反复进行所述生成处理气体的等离子体的步骤和所述生成稀有气体的等离子体的步骤。

6.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

腔室；

具有下部电极的基片支承台，其设置于所述腔室内；

气体供给部，其构成为能够对所述腔室内供给包含碳氟化合物气体的处理气体和稀有气体；

高频电源，其构成为能够产生高频电功率以激励所述腔室内的气体；

构成为能够在所述腔室的内部空间中形成磁场的电磁体；

构成为能够对所述电磁体供给电流的驱动电源；以及

构成为能够控制所述气体供给部、所述高频电源和所述驱动电源的控制部，

所述控制部构成为能够执行第一控制，该第一控制控制所述气体供给部以对所述腔室内供给所述处理气体，控制所述高频电源以供给所述高频电功率，由此在载置于所述基片支承台上的基片上形成碳氟化合物的沉积物，其中所述碳氟化合物来自由所述处理气体形成的等离子体，

所述控制部构成为能够执行第二控制，该第二控制控制所述气体供给部以对所述腔室内供给所述稀有气体，控制所述高频电源以供给所述高频电功率，由此对在其上形成有所述沉积物的所述基片供给稀有气体离子，该第二控制控制所述驱动电源以利用所述电磁体形成磁场的分布，该磁场的分布在所述基片的边缘侧的上方具有比所述基片的中心的上方的水平成分大的水平成分。

7.如权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述碳氟化合物气体包含C₄F₈气体和/或C₄F₆气体。

8.如权利要求6或7所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述控制部构成为能够交替地反复执行所述第一控制和所述第二控制。