[发明专利]具有改善的信号电子检测性能的多束检测设备在审

专利信息
申请号: 201980017872.X 申请日: 2019-02-21
公开(公告)号: CN111819654A 公开(公告)日: 2020-10-23
发明(设计)人: 任伟明;刘学东;胡学让;陈仲玮 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: H01J37/28 分类号: H01J37/28;H01J37/147;H01J37/29
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 董莘
地址: 荷兰维*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 改善 信号 电子 检测 性能 设备
【权利要求书】:

1.一种用于将多个电子束引导到电子检测装置上的光电系统的交叉形成偏转器阵列,所述交叉形成偏转器阵列包括:

多个交叉形成偏转器,定位于所述光电系统的一个或多个光电透镜的集合的图像平面处或至少定位于所述一个或多个光电透镜的集合的图像平面附近,其中每个交叉形成偏转器与所述多个电子束中的对应电子束对准。

2.根据权利要求1所述的交叉形成偏转器阵列,其中每个交叉形成偏转器被配置为使对应电子束偏转,使得所有电子束重叠以在交叉平面上形成交叉区域。

3.根据权利要求1所述的交叉形成偏转器阵列,其中每个交叉形成偏转器具有多极结构。

4.一种用于将来自样品的多个二次电子束投射到多束设备中的相应电子检测表面上的光电系统,所述光电系统包括:

多个交叉形成偏转器,被配置为在交叉平面上形成所述多个二次电子束的交叉区域,其中所述多个交叉形成偏转器中的每个交叉形成偏转器与所述多个二次电子束中的对应的二次电子束相关联;以及

具有一个或多个孔的束限制孔板,定位于所述交叉平面处或附近,并且被配置为修整所述多个二次电子束。

5.根据权利要求4所述的光电系统,其中所述多个交叉形成偏转器被配置为使所述多个二次电子束中的离轴二次电子束偏转到所述交叉区域。

6.根据权利要求4所述的光电系统,其中所述一个或多个孔包括以所述交叉区域为中心的第一孔。

7.根据权利要求4所述的光电系统,其中所述一个或多个孔被配置为具有不同尺寸。

8.根据权利要求6所述的光电系统,其中所述束限制孔板可移动以使所述一个或多个孔中的第二孔与所述交叉区域对准。

9.根据权利要求4所述的光电系统,还包括:

电子检测装置,包括用于所述多个二次电子束的检测表面以形成所述样品的多个图像。

10.根据权利要求9所述的光电系统,还包括:

与所述光电系统的光学轴线对准的一个或多个透镜的第一集合和一个或多个透镜的第二集合,其中所述电子检测装置被定位为与所述第一集合相比较靠近所述第二集合。

11.根据权利要求10所述的光电系统,其中所述多个交叉形成偏转器定位于所述第一集合与所述第二集合之间的所述第一集合的第一图像平面处或至少定位于所述第一集合的第一图像平面附近。

12.根据权利要求11所述的光电系统,其中所述一个或多个透镜的第一集合被配置为使所述多个二次电子束中的至少一些二次电子束与所述多个交叉形成偏转器中的对应的交叉形成偏转器对准。

13.根据权利要求11所述的光电系统,其中所述交叉平面定位于所述第一集合与所述第二集合之间。

14.根据权利要求11所述的光电系统,其中所述交叉平面位于所述电子检测装置与所述第二集合之间。

15.一种由二次成像系统执行以形成样品的图像的方法,所述方法包括:

通过定位于所述二次成像系统的一个或多个图像平面处或至少定位于所述二次成像系统的一个或多个图像平面附近的多个交叉形成偏转器来使二次电子束偏转以在交叉平面上形成交叉区域;以及

通过具有定位于所述交叉平面处或至少定位于所述交叉平面附近的束限制孔的束限制孔板修整二次电子束。

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