[发明专利]蚀刻方法及基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理装置中的蚀刻方法，所述基板处理装置具有用于放置基板的第一电极、以及与所述第一电极相对的第二电极，所述蚀刻方法包括：

第一工序，导入第一气体，以将形成在基板上的对象膜蚀刻成该对象膜上的预定膜的图案的方式将所述对象膜的蚀刻进行至中途；

第二工序，在进行所述第一工序之后，导入包含Ar气体、H₂气体以及沉积性气体的第二气体，并向所述第二电极施加直流电压，以形成保护膜；以及

第三工序，在进行形成所述保护膜的工序之后，导入第三气体，对所述对象膜进行蚀刻。

2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，

所述沉积性气体包含C和F。

3.根据权利要求1或2所述的蚀刻方法，其中，

所述第三气体与所述第一气体不同。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的蚀刻方法，其中，

所述第三气体包含N和H。

5.根据权利要求4所述的蚀刻方法，其中，

所述第三气体是N₂和H₂。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的蚀刻方法，其中，

所述第一气体包含O₂、N₂、H₂、CO、CO₂以及Ar中的至少任意一者。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的蚀刻方法，其中，

所述保护膜包含C和F。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的蚀刻方法，其中，

在所述第一工序、所述第二工序以及所述第三工序中施加的等离子体生成用的高频电力的频率为30MHz～70MHz。

9.根据权利要求8所述的蚀刻方法，其中，

向所述第一电极或所述第二电极施加所述等离子体生成用的高频电力。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的蚀刻方法，其中，

所述预定膜是防反射膜和硬掩模中的至少任意一者，

所述对象膜是有机膜。

11.根据权利要求10所述的蚀刻方法，其中，

所述有机膜是非晶碳膜。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的蚀刻方法，包括：

第四工序，对作为所述对象膜的下层膜的被蚀刻对象膜进行蚀刻，

其中，所述被蚀刻对象膜的深宽比为20以上。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的蚀刻方法，其中，

在将所述第一工序和所述第二工序重复进行2次以上之后，进行所述第三工序。

14.一种基板处理装置，包括：

第一电极，用于放置基板；

第二电极，与所述第一电极相对；

高频电源，用于向所述第一电极或所述第二电极施加等离子体生成用的高频电力；以及

控制部，

其中，所述控制部对以下工序进行控制：

第一工序，导入第一气体，以将形成在基板上的对象膜蚀刻成该对象膜上的预定膜的图案的方式将所述对象膜的蚀刻进行至中途；

第二工序，在进行所述第一工序之后，导入包含Ar气体、H₂气体以及沉积性气体的第二气体，并向所述第二电极施加直流电压，以形成保护膜；以及

第三工序，在进行形成所述保护膜的工序之后，导入第三气体，对所述对象膜进行蚀刻。