[发明专利]具有Si覆膜的纯铜粉及其制造方法有效
| 申请号： | 201980017991.5 | 申请日： | 2019-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN111836692B | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 渡边裕文;山本浩由;涩谷义孝 | 申请（专利权）人： | 捷客斯金属株式会社 |
| 主分类号： | B22F1/16 | 分类号： | B22F1/16;B22F1/05;B33Y70/10;B33Y80/00;B22F3/105;B22F3/16;B33Y10/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 胡嵩麟;王海川 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 si 纯铜粉 及其 制造 方法 | ||
1.一种纯铜粉，其为形成有Si覆膜的纯铜粉，其特征在于，Si附着量为5重量ppm以上且200重量ppm以下，C附着量为15重量ppm以上，并且C附着量与Si附着量的重量比率C/Si为3以下，并且
对存在于通过波长色散型X射线对形成有Si覆膜的纯铜粉进行分析而得到的图像上的一个粒子的一个图像全部进行扫描，从而测定Si的信号强度，将从一个方向观察粒子的图像的面积设为100％时，最大信号强度的1/10以上的部分在该面积中所占的面积比率为40％以上。
2.一种纯铜粉，其为形成有Si覆膜的纯铜粉，其特征在于，对存在于通过波长色散型X射线对形成有Si覆膜的纯铜粉进行分析而得到的图像上的一个粒子的一个图像全部进行扫描，从而测定Si的信号强度，将从一个方向观察粒子的图像的面积设为100％时，最大信号强度的1/10以上的部分在该面积中所占的面积比率为40％以上，C附着量为15重量ppm以上，并且C附着量与Si附着量的重量比率C/Si为3以下。
3.一种纯铜粉，其为形成有Si覆膜的纯铜粉，其特征在于，Si覆膜的膜厚为5nm以上且300nm以下，C附着量为15重量ppm以上，并且C附着量与Si附着量的重量比率C/Si为3以下。
4.如权利要求1～3中任一项所述的纯铜粉，其特征在于，所述纯铜粉中的氧浓度为1000重量ppm以下。
5.如权利要求1～3中任一项所述的纯铜粉，其特征在于，所述纯铜粉的平均粒径D50(中值粒径)为10μm以上且150μm以下。
6.如权利要求4所述的纯铜粉，其特征在于，所述纯铜粉的平均粒径D50(中值粒径)为10μm以上且150μm以下。
7.一种纯铜粉的制造方法，其为权利要求1～6中任一项所述的纯铜粉的制造方法，其特征在于，将纯铜粉浸渍在包含硅烷类偶联剂的溶液中从而在该纯铜粉上形成Si覆膜，然后在400℃以上且1000℃以下进行加热，
所述包含硅烷类偶联剂的溶液为0.1％～30％的水溶液。
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