[发明专利]用于氮化硅的蚀刻组成物与半导体元件的蚀刻方法

权利要求书

1.一种用于氮化硅的蚀刻组成物，包含：

60重量％至95重量％的磷酸化合物；

0.0001重量％至10重量％的多元醇；

大于0重量％且10重量％以下的含硅化合物；以及

余量的水，

其中所述磷酸化合物包括选自由正磷酸、偏磷酸、焦磷酸、亚磷酸及连二磷酸组成的群组中的至少一者，

其中所述多元醇包括选自由二元醇、三元醇及糖醇组成的群组中的至少一者，所述糖醇包括选自由乳糖醇、山梨醇、甘露醇、异麦芽糖醇、木糖醇、赤藓糖醇、核糖醇、阿拉伯糖醇及塔罗糖醇组成的群组中的至少一者，以及

其中所述含硅化合物包括由式1表示的化合物：

其中R1、R2、R3及R4各自独立为氢、C₁至C₁₀烷基、C₁至C₁₀烷氧基、C₃至C₁₀环烷基或C₆至C₁₂芳基，R1、R2、R3及R4中的一者或多者为氢或C₁至C₁₀烷氧基。

2.根据权利要求1所述的用于氮化硅的蚀刻组成物，其中所述二元醇包括邻苯二酚。

3.根据权利要求1所述的用于氮化硅的蚀刻组成物，其中所述含硅化合物包括四乙氧基硅烷。

4.根据权利要求1所述的用于氮化硅的蚀刻组成物，其中所述蚀刻组成物具有为2或小于2的pH。

5.根据权利要求1所述的用于氮化硅的蚀刻组成物，其中所述蚀刻组成物具有为50:1或大于50:1的氮化物层对氧化物层蚀刻选择比。

6.一种半导体元件的蚀刻方法，包括：利用如权利要求1至5中任一项所述的用于氮化硅的蚀刻组成物来蚀刻氮化硅层。