[发明专利]基于蚀刻残渣的抑制剂的选择性处理

权利要求书

1.一种在半导体衬底上进行沉积的方法，该方法包括：

在半导体衬底上选择性地沉积牺牲材料，所述衬底包括具有多个衬底材料区域的表面，所述多个衬底材料区域对于所述牺牲材料具有不同的选择性，使得在所述衬底表面的第一区域上发生所述牺牲材料的实质性沉积，而在所述衬底表面的第二区域上没有发生实质性沉积；

在所述衬底上沉积非牺牲材料，使得在所述第二区域上发生所述非牺牲材料的实质性沉积，并且在所述第一区域上的牺牲材料上没有发生所述非牺牲材料的实质性沉积；以及

去除所述牺牲材料，使得仅在所述第二区域上实质性发生所述非牺牲材料的净沉积。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述非牺牲材料的所述沉积的所述选择性基于所述第一区域的衬底材料和所述第二区域的衬底材料的电特性的差异。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲材料的沉积通过非共价键合发生在所述衬底表面的第一区域上，并且所述非牺牲材料的沉积通过共价键合发生在所述衬底表面的所述第二区域上。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述非牺牲材料在所述第二区域上的所述实质性沉积以及所述非牺牲材料在所述衬底的所述第一区域上的所述牺牲材料上的非实质性沉积具有化学基础。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中，所述第一区域和所述第二区域分别是电介质和金属。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中，所述第一区域和所述第二区域分别是不同的电介质。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述不同的电介质具有不同的介电常数。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一区域的所述介电常数低于所述第二区域的所述介电常数。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第二区域的介电常数比所述第一区域的介电常数大至少三倍。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一区域的所述电介质是SiO₂或SiN，并且所述第二区域的所述电介质是ZrO₂。

11.根据权利要求1或10所述的方法，其中，所述牺牲材料是碳氟化合物(CF_x)或硼氧化物(BO_xCl_y)。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述非牺牲材料是金属。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述金属选自由Cu、Al、W、Co和Ti组成的组。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，所述非牺牲材料的沉积是均厚沉积。

15.根据权利要求1所述的方法，其中在周期性回蚀/重置操作期间发生所述牺牲材料的所述选择性沉积，在所述周期性回蚀/重置操作期间，所产生的蚀刻残渣为所述选择性沉积提供所述牺牲材料中的一些或全部。