[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法和程序

说明书

本发明提供一种技术，具有：处理基板的处理室，具备填充并加热第一气体的多个气罐且对处理室内的基板供给第一气体的第一气体供给系统，和控制部，该控制部构成为控制第一气体供给系统，从而能够在切换多个气罐的同时对处理室内的基板供给第一气体。

技术领域

本公开涉及基板处理装置、半导体装置的制造方法和程序。

背景技术

作为半导体装置的制造工序之一，有时要进行这样的基板处理，即，将基板搬入基板处理装置的处理室内，使用等离子体使供给至处理室内的原料气体、反应气体等活性化，在基板上形成绝缘膜、半导体膜、导体膜等各种膜，或将各种膜除去。

现有行技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-216906号公报

发明内容

发明要解决的课题

但是，作为原料气体的反应性气体的饱和蒸气压低，向装置的供给压就低。因此，不能实现流量控制器的大流量化，难以提高成膜速率、改善膜质。

本公开的目的在于提供一种能够对基板进行均匀处理的技术。

解决课题的方法

根据本公开的一个方案，提供一种技术，具有：处理基板的处理室，具备填充并加热第一气体的多个气罐并对上述处理室内的上述基板供给上述第一气体的第一气体供给系统，以及控制部，该控制部构成为控制上述第一气体供给系统，从而能够在切换上述多个气罐的同时对上述处理室内的上述基板供给上述第一气体。

发明效果

根据本公开，能够提供能够均匀处理基板的技术。

附图说明

[图1]是本公开的实施方式中适宜使用的基板处理装置的纵型处理炉的概略构成图，是以纵截面图显示处理炉部分的图。

[图2]是本公开的实施方式中适宜使用的基板处理装置的纵型处理炉的概略构成图，是以图1的A-A线截面图显示处理炉部分的图。

[图3](a)是用于对本公开的实施方式中适宜使用的基板处理装置的缓冲区结构进行说明的横截面扩大图，(b)是用于对本公开的实施方式中适宜使用的基板处理装置的缓冲区结构进行说明的示意图。

[图4]是本公开的实施方式中适宜使用的基板处理装置的控制器的概略构成图，是以框图显示控制器的控制系统的图。

[图5]是本公开的实施方式涉及的基板处理工序的流程图。

[图6]是显示本公开的实施方式涉及的基板处理工序中的气体供给的时刻点的图。

[图7]是本公开的实施方式中适宜使用的基板处理装置的原料气体供给管线的概略构成图。

[图8]是用于对本公开的实施方式中适宜使用的基板处理装置的原料气体供给管线的变形例1进行说明的概略构成图。

[图9]是用于对本公开的实施方式中适宜使用的基板处理装置的原料气体供给管线的变形例2进行说明的概略构成图。

具体实施方式

＜本公开的实施方式＞

以下，参照图1至图7对本公开的一个实施方式进行说明。

(1)基板处理装置的构成(加热装置)