[发明专利]氧化铜纳米传感器

权利要求书

1.一种制造传感器的方法，其包括：

在具有SiO₂层的Si晶片上制造衬底；

在所述SiO₂层上沉积粘附Ti层；

在所述Ti层上沉积Au层，所述Au层用作电触点；

在所述Au和SiO₂层上沉积Ti层，所述Ti层作为Cu层的扩散阻挡层；

在所述Cu层内设置间隙，从而在所述间隙的两侧形成两个电极；

在所述两个电极之间生长纳米线；和

通过纳米线在所述两个电极之间的生长，而使所述纳米线桥接Cu电极之间的间隙。

2.如权利要求1所述的方法，其进一步包括：

在环境气氛中热氧化Cu。

3.如权利要求1所述的方法，其进一步包括：

由CuO形成所述纳米线。

4.如权利要求1所述的方法，其进一步包括：

通过形成高电阻半导电路径的纳米线桥接氧化铜区域之间的间隙。

5.如权利要求1所述的方法，其进一步包括：

用纳米颗粒修饰所述纳米线，从而增加所述纳米线的响应'r'。

6.如权利要求5所述的方法，其进一步包括：

用具有窄尺寸分布的纳米颗粒进行修饰。

7.如权利要求5所述的方法，其进一步包括：

当溅射系统的聚集区的压力在约10^-1mbar的范围内时进行修饰。

8.如权利要求5所述的方法，其进一步包括：

当溅射系统的沉积室的压力在约10^-4mbar的范围内时进行修饰。

9.如权利要求5所述的方法，其进一步包括：

由钌形成所述纳米颗粒。

10.如权利要求9所述的方法，其进一步包括：

所述钌纳米颗粒与所述纳米线一起具有催化活性。

11.如权利要求10所述的方法，其进一步包括：

以预定的时长，将所述钌纳米颗粒直接沉积在所述纳米线上。

12.如权利要求11所述的方法，其进一步包括：

所述预定的时长为100分钟。

13.如权利要求10所述的方法，其进一步包括：

以所述纳米线的预定量的表面积，将所述钌纳米颗粒直接沉积在所述纳米线上。

14.如权利要求13所述的方法，其进一步包括：

所述预定量的表面积为6％。

15.如权利要求13所述的方法，其进一步包括：

沉积步骤是使用促进惰性气体冷凝的磁控管溅射器来实现的。

16.如权利要求15所述的方法，其进一步包括：

使用氩气冷凝生长所述纳米颗粒；

使惰性气体在原点周围流动，导致原子聚结成纳米团簇。

17.如权利要求15所述的方法，其进一步包括：

在所述磁控管溅射器的生长室和衬底(聚集)室之间设置压差，从而迫使所述纳米团簇从原点移动到纳米线衬底。