[发明专利]用于浅沟槽隔离应用的化学机械抛光组合物有效
申请号: | 201980019042.0 | 申请日: | 2019-03-05 |
公开(公告)号: | CN111868189B | 公开(公告)日: | 2022-07-19 |
发明(设计)人: | S.布罗斯南 | 申请(专利权)人: | CMC材料股份有限公司 |
主分类号: | C11D1/38 | 分类号: | C11D1/38;C11D1/66 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 詹承斌;宋莉 |
地址: | 美国伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 沟槽 隔离 应用 化学 机械抛光 组合 | ||
1.化学机械抛光组合物,包含:
(a)氧化铈研磨剂颗粒,
(b)阳离子型聚合物,其中,该阳离子型聚合物包含聚(二烯丙基二甲基氯化铵)-共-聚(丙烯酰胺)、聚甲基丙烯酸(2-二甲基氨基)乙酯甲基氯季盐、聚(二烯丙基二甲基氯化铵)、聚乙烯基甲基咪唑鎓甲基硫酸盐、聚(二甲基胺-共-表氯醇)、聚(乙烯基甲基咪唑鎓甲基硫酸盐)-共-聚(乙烯基吡咯烷酮)、聚(乙烯基甲基咪唑鎓氯化物)-共-聚(N-乙烯基吡咯烷酮)、聚(乙烯基吡咯烷酮)-共-聚(甲基丙烯酰胺)-共-聚(乙烯基咪唑)-共-聚(乙烯基甲基咪唑鎓甲基硫酸盐)、聚(乙烯基吡咯烷酮)-共-聚(甲基丙烯酸二甲基氨基乙酯硫酸甲酯)、聚(乙烯基己内酰胺)-共-聚(乙烯基吡咯烷酮)-共-聚(乙烯基甲基咪唑鎓甲基硫酸盐)、或其组合,
(c)非离子型聚合物,包含聚乙二醇十八烷基醚、聚乙二醇月桂基醚、聚乙二醇油烯基醚、聚(乙烯)-共-聚(乙二醇)、辛基苯氧基聚(乙烯氧基)乙醇、或其组合,
(d)饱和一元酸,及
(e)水性载剂,
该抛光组合物进一步包含不饱和一元酸。
2.如权利要求1的抛光组合物,其中,该氧化铈研磨剂颗粒包含经煅烧的氧化铈颗粒、湿法氧化铈颗粒、基于湿法的经加工的氧化铈颗粒、或其组合。
3.如权利要求1的抛光组合物,其中,该氧化铈研磨剂颗粒以0.0005重量%至10重量%的浓度存在于该抛光组合物中。
4.如权利要求1的抛光组合物,其中,该阳离子型聚合物以0.0005重量%至0.025重量%的浓度存在于该抛光组合物中。
5.如权利要求1的抛光组合物,其中,该非离子型聚合物以0.0005重量%至0.5重量%的浓度存在于该抛光组合物中。
6.如权利要求1的抛光组合物,其中,该饱和一元酸包含甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、或其组合。
7.如权利要求1的抛光组合物,其中,该饱和一元酸以0.0001重量%至0.5重量%的浓度存在于该抛光组合物中。
8.如权利要求1的抛光组合物,进一步包含选自以下的添加剂:杀生物剂、阻垢剂、分散剂、pH调节剂、及其组合。
9.如权利要求1的抛光组合物,其中,该抛光组合物的pH为3.0至5.0。
10.如权利要求1的抛光组合物,其中,该不饱和一元酸包含C3-C6不饱和一元酸。
11.如权利要求10的抛光组合物,其中,该C3-C6不饱和一元酸包含丙烯酸、2-丁烯酸、2-戊烯酸、反式-2-己烯酸、反式-3-己烯酸、2-己炔酸、2,4-己二烯酸、山梨酸钾、反式-2-甲基-2-丁烯酸、3,3-二甲基丙烯酸、或其组合,包括其立体异构体。
12.如权利要求11的抛光组合物,其中,该C3-C6不饱和一元酸包含2-丁烯酸。
13.如权利要求1的抛光组合物,其中,该不饱和一元酸以0.0001重量%至0.5重量%的浓度存在于该抛光组合物中。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于CMC材料股份有限公司,未经CMC材料股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201980019042.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。