[发明专利]屏蔽层、屏蔽层的制造方法及氧化物溅射靶有效
| 申请号： | 201980019072.1 | 申请日： | 2019-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN111902561B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 森理惠;山口刚 | 申请（专利权）人： | 三菱综合材料株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C04B35/01;C23C14/34;G02B1/16;G06F3/041;H05K9/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 刁兴利;康泉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 屏蔽 制造 方法 氧化物 溅射 | ||
【权利要求书】：
1.一种屏蔽层，其配设于显示面板，所述屏蔽层的特征在于，
由如下氧化物构成：将金属成分的总计设为100原子％，在60原子％以上且80原子％以下的范围内包含In，且剩余部分为Si及不可避免的杂质金属元素，
所述屏蔽层的薄膜电阻在1E+7Ω/□以上且5E+10Ω/□以下的范围内，
所述屏蔽层的厚度在7nm以上且25nm以下的范围内，
将金属成分的总计设为100原子％，还在1原子％以上且32原子％以下的范围内包含Zr。
2.根据权利要求1所述的屏蔽层，其特征在于，
所述屏蔽层在波长550nm的透射率为95％以上。
3.一种屏蔽层的制造方法，其特征在于，用于制造权利要求1或2所述的屏蔽层，
所述屏蔽层的制造方法使用由氧化物构成的氧化物溅射靶将氧导入到溅射装置内，并进行溅射成膜，
所述氧化物中，将金属成分的总计设为100原子％，包含60原子％以上且80原子％以下的In，且剩余部分为Si及不可避免的杂质金属元素，
关于所导入的氧量，氧/氩的流量比为0.03以下，
所述屏蔽层的薄膜电阻在1E+7Ω/□以上且5E+10Ω/□以下的范围内，
所述氧化物溅射靶中，将金属成分的总计设为100原子％，还在1原子％以上且32原子％以下的范围内包含Zr。
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