[发明专利]直流高压继电器和直流高压继电器用触点材料有效

专利信息
申请号: 201980019207.4 申请日: 2019-03-12
公开(公告)号: CN111868864B 公开(公告)日: 2023-02-28
发明(设计)人: 西出早治大;中村哲也;板仓弘幸;柳原宣仁 申请(专利权)人: 田中贵金属工业株式会社
主分类号: H01H1/023 分类号: H01H1/023;C22C1/10;C22C5/06;H01H50/54;C22F1/00;C22F1/14
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 鲁雯雯;金龙河
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 直流 高压 继电器 器用 触点 材料
【权利要求书】:

1.一种直流高压继电器,其是包含产生和传递用于使可动触点移动的驱动力的驱动部分以及进行直流高压电路的开闭的触点部分的直流高压继电器,其中,

所述驱动部分具备:产生驱动力的电磁铁或线圈、将所述驱动力传递至触点部分的传递单元以及为了使触点对接触或分离而对传递单元施力的施力单元,

所述触点部分具备:至少一个由通过所述驱动部分的所述传递单元而移动的可动触点和固定触点构成的触点对、至少一个将所述可动触点接合的可动端子以及至少一个将所述固定触点接合的固定端子,

所述直流高压继电器的额定电压为48V以上,

所述触点对的接触力和/或分离力为100gf以上,

所述可动触点和/或所述固定触点由Ag-氧化物系的触点材料构成,

所述触点材料的金属成分由必须含有Sn的至少一种金属M以及作为余量的Ag和不可避免的杂质金属构成,

相对于所述触点材料的全部金属成分的合计质量,所述金属M的含量为0.2质量%以上且8质量%以下,

所述触点材料具有在由Ag或Ag合金构成的基体中分散有一种以上的所述金属M的氧化物的材料组织。

2.如权利要求1所述的直流高压继电器,其中,

触点材料含有In作为金属M,

相对于所述触点材料的全部金属成分的合计质量,In的含量为0.1质量%以上且5质量%以下,

相对于所述触点材料的全部金属成分的合计质量,Sn的含量为0.1质量%以上且7.9质量%以下。

3.如权利要求1或权利要求2所述的直流高压继电器,其中,

触点材料含有Bi作为金属M,

相对于全部金属成分的合计质量,Bi的含量为0.05质量%以上且2质量%以下,

相对于所述触点材料的全部金属成分的合计质量,Sn的含量为0.1质量%以上且7.95质量%以下。

4.如权利要求1或权利要求2所述的直流高压继电器,其中,

触点材料含有Te作为金属M,

相对于所述触点材料的全部金属成分的合计质量,Te的含量为0.05质量%以上且2质量%以下,

相对于所述触点材料的全部金属成分的合计质量,Sn的含量为0.1质量%以上且7.95质量%以下。

5.如权利要求2所述的直流高压继电器,其中,

触点材料还含有Ni作为金属M,

相对于所述触点材料的全部金属成分的合计质量,Ni的含量为0.05质量%以上且1质量%以下,

相对于所述触点材料的全部金属成分的合计质量,Sn的含量为0.1质量%以上且7.85质量%以下。

6.如权利要求4所述的直流高压继电器,其中,

触点材料还含有Ni作为金属M,

相对于所述触点材料的全部金属成分的合计质量,Ni的含量为0.05质量%以上且1质量%以下,

相对于所述触点材料的全部金属成分的合计质量,Sn的含量为0.1质量%以上且7.85质量%以下。

7.如权利要求1或权利要求2所述的直流高压继电器,其中,触点材料的在基体中分散的氧化物的平均粒径为0.01μm以上且0.3μm以下。

8.如权利要求3所述的直流高压继电器,其中,触点材料的在基体中分散的氧化物的平均粒径为0.01μm以上且0.3μm以下。

9.如权利要求4所述的直流高压继电器,其中,触点材料的在基体中分散的氧化物的平均粒径为0.01μm以上且0.3μm以下。

10.如权利要求5或权利要求6所述的直流高压继电器,其中,触点材料的在基体中分散的氧化物的平均粒径为0.01μm以上且0.3μm以下。

11.如权利要求1所述的直流高压继电器,其中,触点材料的任意截面中的氧化物的面积率为0.1%以上且15%以下。

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