[发明专利]EFEM在审
申请号: | 201980019229.0 | 申请日: | 2019-03-13 |
公开(公告)号: | CN111868909A | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 河合俊宏;小仓源五郎 | 申请(专利权)人: | 昕芙旎雅有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 龚伟;王玉瑾 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | efem | ||
1.一种EFEM,其包括使惰性气体循环的循环路径,所述EFEM包括:
供应阀,其被配置为能够改变供应到所述循环路径中的所述惰性气体的供应流量;
排出阀,其被配置成能够改变从所述循环路径排出的气体的排出流量;
浓度检测部,其被配置为检测所述循环路径内的气氛的变化;
压力检测部,其被配置为检测所述循环路径中的压力;以及
控制部,其被配置为控制所述供应阀和所述排出阀,
其中,所述控制部被配置为基于所述浓度检测部的检测结果,将所述排出阀的开度确定为预定值。
2.根据权利要求1所述的EFEM,其中,所述控制部被配置为在反馈模式和前馈模式之间切换控制模式,在所述反馈模式下,基于所述压力检测部的检测结果,对所述排出阀的所述开度进行反馈控制,使得所述循环路径中的压力保持在目标压力,在所述前馈模式下,基于所述浓度检测部的所述检测结果确定所述排出阀的所述开度,并且
当基于所述浓度检测部的所述检测结果改变所述供应阀的开度时,所述控制模式从所述反馈模式切换到所述前馈模式。
3.根据权利要求2所述的EFEM,其中,所述控制部被配置为当在所述控制模式从所述反馈模式切换到所述前馈模式之后经过预定时间时,使所述控制模式从所述前馈模式返回到所述反馈模式。
4.根据权利要求2或3所述的EFEM,其中,所述控制部包括存储表的存储部,该表根据所述气氛的变化而被划分为多个区段,并且在所述表中,对于每个区段,所述供应阀的所述开度和所述排出阀的所述开度彼此相关联。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造