[发明专利]从易失性到非易失性存储器的备份操作

说明书

本文中揭示用于响应于触发事件在存储器系统上执行备份操作的装置及技术。所述存储器系统可包括处理装置、易失性存储器单元群组及非易失性存储器单元群组。所述处理装置可经配置以响应于触发事件执行内部备份操作，所述内部备份操作包括：响应于所述触发事件确定所述存储器系统是否在自刷新模式中；及响应于确定所述存储器系统并不在自刷新模式中：存储可通过主机读取的所述存储器系统并不在自刷新模式中的指示；及执行包括将存储于所述易失性存储器单元群组上的数据的至少一部分保存到所述非易失性存储器单元群组的内部备份操作。

优先权主张

本申请案主张2018年9月6日申请的序列号为16/123,401的美国申请案的优先权的权益，所述申请案主张在2018年2月8日申请的标题为“自刷新绕过(SELF REFRESHBYPASS)”的序列号为62/628,135的美国临时专利申请案的优先权的权益，所述申请案中的每一者的全部内容以引用的方式并入本文中。

技术领域

本发明的实施例大体上涉及存储器系统，且更明确来说涉及从易失性到非易失性存储器(NVM)的备份操作。

背景技术

存储器子系统可为存储系统(例如固态驱动器(SSD))，且可包含存储数据的一或多个存储器组件。举例来说，所述存储器组件可为非易失性存储器组件及易失性存储器组件。一般来说，主机系统可利用存储器子系统以将数据存储于存储器组件处及从存储器组件检索数据。

易失性存储器可需要电力来维持数据且包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)及同步动态随机存取存储器(SDRAM)等等。非易失性存储器可在未供电时通过留存存储数据而提供永久性数据且可包含NAND闪存、NOR闪存、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)及电阻可变存储器(例如相变随机存取存储器(PCRAM))、电阻性随机存取存储器(RRAM)及磁阻性随机存取存储器(MRAM)、交叉点存储器阵列等等。

存储器单元通常布置成矩阵或阵列。多个矩阵或阵列可组合成存储器装置，且多个装置可经组合以形成存储器系统的存储卷，例如固态驱动器(SSD)、通用快闪存储(UFS^TM)装置、多媒体卡(MMC)固态存储装置、嵌入式MMC装置(eMMC^TM)等。

存储器系统可包含执行逻辑功能以操作存储器装置或与外部系统介接的一或多个处理器或其它存储器控制器。存储器矩阵或阵列可包含组织成数个物理页的数个存储器单元块。存储器系统可从主机接收与存储器操作相关联的命令，所述存储器操作例如在存储器装置与所述主机之间传送数据(例如，用户数据及相关联完整性数据，例如错误数据及地址数据等)的读取或写入操作，从存储器装置擦除数据的擦除操作或执行一或多个其它存储器操作。

附图说明

将从下文给出的详细描述及本发明的各个实施例的附图更充分理解本发明。

图1说明根据本发明的一些实例的非易失性双列直插存储器模块(NVDIMM)装置的实例。

图2说明使用存储器系统的处理装置对所述存储器系统执行内部备份操作的实例方法。

图3说明根据本发明的一些实例的使用定时器触发存储器系统中的灾难性保存操作(CSAVE)的实例方法。

图4说明本发明的实施例可在其中操作的实例计算机系统。

具体实施方式