[发明专利]雪崩鲁棒性LDMOS

权利要求书

1.一种半导体设备，其包括：

衬底；

有源区，所述有源区包括形成在所述衬底上方的FET和二极管；

所述FET的一个或多个FET指，所述一个或多个FET指形成在所述有源区中并且具有FET源极区、FET漏极区和横向FET栅极电极；以及

所述二极管的一个或多个二极管指，所述一个或多个二极管指形成在所述有源区中并且具有电耦合到所述FET源极区的二极管阳极区、电耦合到所述FET漏极区的二极管阴极区和电耦合到所述二极管阳极区并与所述横向FET栅极电极电隔离的横向二极管栅极电极；

其中：

所述FET的所述一个或多个FET指为所述半导体设备的有源指，并且所述二极管的所述一个或多个二极管指为所述半导体设备的虚设指；并且

所述二极管被配置为钳位跨所述FET漏极区和所述FET源极区产生的最大电压。

2.如权利要求1所述的半导体设备，其中：

所述横向FET栅极电极与所述FET漏极区之间的横向距离大于所述横向二极管栅极电极与所述二极管阴极区之间的横向距离；并且

所述二极管的目标击穿电压基于所述横向二极管栅极电极与所述二极管阴极区之间的所述横向距离来配置。

3.如权利要求1所述的半导体设备，其还包括：

电阻器，所述电阻器将所述横向二极管栅极电极电耦合到所述二极管阳极区。

4.如权利要求1所述的半导体设备，其还包括：

FET屏蔽结构，所述FET屏蔽结构电耦合到所述FET源极区并与所述横向FET栅极电极的至少一部分横向重叠；以及

二极管屏蔽结构，所述二极管屏蔽结构电耦合到所述二极管阳极区并与所述横向二极管栅极电极的至少一部分横向重叠。

5.如权利要求1所述的半导体设备，其还包括：

FET屏蔽结构，所述FET屏蔽结构电耦合到所述FET源极区并与所述横向FET栅极电极的至少一部分横向重叠；以及

截断的二极管屏蔽结构，所述截断的二极管屏蔽结构电耦合到所述二极管阳极区并且不与所述横向二极管栅极电极的任何部分横向重叠。

6.如权利要求1所述的半导体设备，其还包括：

掩埋电绝缘体层，所述掩埋电绝缘体层在所述衬底和所述有源区之间，所述掩埋电绝缘体层在所述一个或多个FET指和所述一个或多个二极管指的下方横向延伸。

7.如权利要求6所述的半导体设备，其还包括：

电绝缘体势垒层，所述电绝缘体势垒层在所述一个或多个FET指和所述一个或多个二极管指之间，所述电绝缘体势垒层从所述掩埋电绝缘体层的顶表面延伸到所述有源区中。

8.如权利要求1所述的半导体设备，其中：

对于包括二极管的每一个二极管指，所述半导体设备具有大于或等于十个有源指。

9.如权利要求1所述的半导体设备，其中：

所述FET还包括FET体区和FET掩埋阱区；

所述二极管还包括二极管体区和二极管掩埋阱区；

所述FET源极区、所述FET漏极区和所述二极管阴极区为第一导电类型；并且

所述FET体区、所述FET掩埋阱区、所述二极管体区、所述二极管掩埋阱区和所述二极管阳极区为第二导电类型。

10.如权利要求9所述的半导体设备，其中：

所述二极管的击穿电压通过所述二极管阴极区和所述二极管体区之间的距离来配置。

11.如权利要求9所述的半导体设备，其中：

所述FET漏极区和所述横向FET栅极电极之间的横向距离大于所述二极管阴极区和所述横向二极管栅极电极之间的横向距离。