[发明专利]无机EL元件、显示元件、图像显示装置和系统

权利要求书

1.一种无机EL元件，包括：

阳极；

空穴传输层；

发光层；

电子传输层；和

阴极，

所述阳极、所述空穴传输层、所述发光层、所述电子传输层和所述阴极层叠置，

其中，所述空穴传输层是氧化物膜，

所述发光层是氧化物膜，并且

所述电子传输层是氧化物膜。

2.根据权利要求1所述的无机EL元件，

其中，作为所述空穴传输层的氧化物膜是p型氧化物半导体。

3.根据权利要求1或2所述的无机EL元件，其中，

其中，作为所述电子传输层的氧化物膜是n型氧化物半导体。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的无机EL元件，

其中，作为所述发光层的氧化物膜由掺杂有发光中心的氧化物形成。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的无机EL元件，

其中，作为所述空穴传输层的氧化物膜是掺杂有发光中心的p型氧化物半导体并且起发光层的作用。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的无机EL元件，

其中，作为所述电子传输层的氧化物膜是掺杂有发光中心的n型氧化物半导体并且起发光层的作用。

7.根据权利要求4至6中任一项所述的无机EL元件，

其中，所述发光中心是过渡金属离子或稀土离子。

8.根据权利要求4至7中任一项所述的无机EL元件，

其中，所述发光中心包括选自由钛(Ti)、铬(Cr)、锰(Mn)、铜(Cu)、钨(W)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)和镱(Yb)所组成的组中的至少一种。

9.根据权利要求4至6中任一项所述的无机EL元件，

其中，在作为所述发光层的氧化物膜中，带隙能等于或高于所述发光中心的激发能的氧化物是所述发光中心的主体。

10.根据权利要求4至6中任一项所述的无机EL元件，

其中，在作为所述发光层的氧化物膜中，带隙能等于或高于所述发光中心的发光能量的氧化物是所述发光中心的主体。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的无机EL元件，

其中，作为所述发光层的氧化物膜是包括选自由铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)、钪(Sc)、钇(Y)、镧(La)、镥(Lu)、硼(B)、铝(Al)、镓(Ga)、硅(Si)、锗(Ge)、锑(Sb)、铋(Bi)和碲(Te)所组成的组中的至少一种的氧化物。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的无机EL元件，

其中，作为所述空穴传输层的氧化物膜是包括选自由镍(Ni)、铜(Cu)、锌(Zn)、钌(Ru)、铑(Rh)、铊(Tl)、锡(Sn)、铅(Pb)、锑(Sb)、铋(Bi)和碲(Te)所组成的组中的至少一种的p型氧化物半导体。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的无机EL元件，

其中，作为所述电子传输层的氧化物膜是包括选自由锌(Zn)、镉(Cd)、镓(Ga)、铟(In)、铊(Tl)、锗(Ge)、锡(Sn)、铅(Pb)、铋(Bi)、钛(Ti)和钨(W)所组成的组中的至少一种的n型氧化物半导体。