[发明专利]玻璃基板、液晶天线和高频装置

权利要求书

1.一种玻璃基板，满足{杨氏模量(GPa)×50～350℃的平均热膨胀系数(ppm/℃)}≤300(GPa·ppm/℃)的关系，

20℃、35GHz下的相对介电常数为10以下，且

20℃、35GHz下的介电损耗角正切为0.006以下。

2.根据权利要求1所述的玻璃基板，其中，杨氏模量为70GPa以下。

3.根据权利要求1或2所述的玻璃基板，其中，50～350℃的平均热膨胀系数为5ppm/℃以下。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的玻璃基板，其中，20℃、10GHz下的相对介电常数为10以下，且20℃、10GHz下的介电损耗角正切为0.006以下。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的玻璃基板，其中，主面的面积为100～100000cm²，且厚度为0.01～2mm。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的玻璃基板，其中，端面的至少一部分被倒角。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的玻璃基板，其中，维氏硬度为400～550。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的玻璃基板，其中，裂纹产生负荷超过1.96N。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的玻璃基板，其中，密度为2.5g/cm³以下。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的玻璃基板，其中，在主面的表面的至少一部分具有压缩应力层。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的玻璃基板，其中，气孔率为0.1％以下。

12.根据权利要求1～11中任一项所述的玻璃基板，其中，波长350nm的光的透射率为50％以上。

13.根据权利要求1～12中任一项所述的玻璃基板，其中，β－OH值为0.05～0.8mm^－1。

14.根据权利要求1～13中任一项所述的玻璃基板，其中，以SiO₂为主成分，

以氧化物基准的摩尔百分数表示计，

含有合计为1～40％的Al₂O₃和B₂O₃，

由{Al₂O₃/(Al₂O₃+B₂O₃)}表示的含量的摩尔比为0～0.45，且

含有合计为0.1～13％的碱土金属氧化物。

15.根据权利要求1～14中任一项所述的玻璃基板，其中，以氧化物基准的摩尔百分数表示计，含有合计为0.001～5％的碱金属氧化物。

16.根据权利要求15所述的玻璃基板，其中，所述碱金属氧化物中，由{Na₂O/(Na₂O+K₂O)}表示的含量的摩尔比为0.01～0.99。