[发明专利]用于测量电阻的电路

权利要求书

1.一种用于测量电阻的电路，包括：

电阻元件(211)，其具有待测量电阻；

传感器电路(110)，其用于产生取决于所述电阻元件的电阻的差分电压(ΔV_BE)，所述传感器电路(110)包括：

第一路径和第二路径，每个所述路径包括二极管元件(213、223)和输出端子(VBE1、VBE2)，所述第一路径和第二路径中的一个路径包括所述电阻元件(211)；

参考电路(120)，其用于产生差分参考电压(ΔV_{BE_REF})，所述参考电路包括：

第一路径和第二路径，每个所述路径包括电流源(331、321)和二极管元件(312、322)，所述电流源被配置为提供显著不同的电流；

第一输出端子和第二输出端子(VBE3、VBE4)，所述第一输出端子(VBE3)被配置为选择性地从所述参考电路的第一路径和第二路径中的一个路径提供电压，并且所述第二输出端子(VBE4)被配置为选择性地从所述参考电路的第一路径和第二路径中的另一路径提供电压；

sigma-delta转换器电路(130)，其包括第一级(400)和下游连接的第二级(450)，所述第一级包括：

第一电容器和第二电容器(C2P、C1P)以及积分元件(430)，所述第一电容器(C2P)选择性地耦合到所述传感器电路(110)的输出端子(VBE1、VBE2)中的一个输出端子，并且所述第二电容器(C1P)耦合到所述参考电路(120)的第一输出端子和第二输出端子(VBE3、VBE4)中的一个输出端子；并且

所述第二级(450)包括输出端子，所述输出端子被配置为提供取决于待测量电阻的比特流(BS)。

2.根据权利要求1所述的电路，其中，在所述传感器电路(110)中，所述第一路径和第二路径的二极管(213、223)是配置相同的二极管或具有已知的面积比，并且其中，所述第一路径和第二路径中的另一路径包括参考电阻器(220)。

3.根据权利要求1或2所述的电路，其中，在所述传感器电路(110)中，所述第一路径和第二路径分别包括晶体管(211、221)和反馈回路，其中，所述反馈回路(212、222)耦合在所述晶体管(211、221)的源极端子与栅极端子之间。

4.根据权利要求3所述的电路，其中，在所述传感器电路(110)中，所述二极管(213、223)分别由具有彼此连接的基极端子和集电极端子的pnp型晶体管形成，所述晶体管(211、221)分别由p沟道MOS晶体管形成，并且所述反馈回路包括放大器(212、222)。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的电路，其中，在所述参考电路(120)中，所述第一路径和第二路径的电流源分别由MOS晶体管(331、321)形成，所述MOS晶体管被配置为提供显著不同的电流。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的电路，其中，在所述参考电路(120)中，所述第一路径和第二路径通过开关(340、341、342、343)彼此交叉连接，所述开关由信号(CX、CXN)控制，所述信号取决于在所述sigma-delta转换器的输出端子处的比特流(BS)，其中，所述第一输出端子和第二输出端子(VBE3、VBE4)连接到所述第一路径和第二路径的二极管元件(312、322)中的一个二极管元件。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的电路，其中，在所述参考电路(120)中，所述第一输出端子和第二输出端子(VBE3、VBE4)交叉连接到所述第一路径和第二路径的二极管元件(312、322)。

8.根据权利要求6或7所述的电路，其中，在所述参考电路(120)中，所述MOS晶体管(331、321)包括在电流镜电路的输出路径中，其中，所述电流镜电路的输入路径(330)包括参考电流源(331)。