[发明专利]转印膜、层叠体的制造方法、层叠体、静电电容型输入装置及图像显示装置

权利要求书

1.一种转印膜，其依次具有：

临时支承体；

粘合层；及

含金属氧化物粒子层，其包含金属氧化物粒子，

所述含金属氧化物粒子层中的所述金属氧化物粒子的含量在膜厚方向的变动量为10％以下。

2.根据权利要求1所述的转印膜，其中，

所述含金属氧化物粒子层包含具有选自由羧基及磷酸基组成的组中的至少一种基团的化合物。

3.根据权利要求2所述的转印膜，其包含选自由具有羧基且不具有烯键式不饱和基团的分子量小于2000的化合物及具有磷酸基且分子量小于2000的化合物组成的组中的至少一种化合物。

4.根据权利要求3所述的转印膜，其中，

所述具有羧基且不具有烯键式不饱和基团的分子量小于2000的化合物及所述具有磷酸基且分子量小于2000的化合物的合计含量相对于所述含金属氧化物粒子层的总质量为0.1质量％～20质量％。

5.根据权利要求2至4中任一项所述的转印膜，其包含如下树脂，该树脂具有羧基及磷酸基中的至少一种，分子量为2000以上且10000以下，玻璃化转变温度为23℃以下，并且酸值为80mgKOH/g以上。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的转印膜，其中，

所述粘合层在23℃下的tanδ为1.5以上，在23℃下的断裂伸长率为600％以上，在23℃下的粘度为1.0×10⁶Pa·s以下。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的转印膜，其在60℃下的水蒸气透过率为1100g/(m²·天)以下。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的转印膜，其中，

所述粘合层的厚度为5μm～200μm。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的转印膜，其中，

所述含金属氧化物粒子层的厚度为30nm～1000nm。

10.一种层叠体的制造方法，其包括在透明电极图案上依次层叠权利要求1至9中任一项所述的转印膜中的所述含金属氧化物粒子层及所述粘合层的工序。

11.一种层叠体，其依次具有：

透明电极图案；

含金属氧化物粒子层，其包含金属氧化物粒子且与所述透明电极图案相邻地配置；及

粘合层，其与所述含金属氧化物粒子层相邻地配置，

所述含金属氧化物粒子层中的所述金属氧化物粒子的含量在膜厚方向的变动量为10％以下。

12.根据权利要求11所述的层叠体，其中，

所述含金属氧化物粒子层包含具有选自由羧基及磷酸基组成的组中的至少一种基团的化合物。

13.根据权利要求12所述的层叠体，其包含选自由具有羧基且不具有烯键式不饱和基团的分子量小于2000的化合物及具有磷酸基且分子量小于2000的化合物组成的组中的至少一种化合物。

14.根据权利要求13所述的层叠体，其中，

所述具有羧基且不具有烯键式不饱和基团的分子量小于2000的化合物及所述具有磷酸基且分子量小于2000的化合物的合计含量相对于所述含金属氧化物粒子层的总质量为0.1质量％～20质量％。

15.根据权利要求11至14中任一项所述的层叠体，其中，

所述粘合层在23℃下的tanδ为1.5以上，在23℃下的断裂伸长率为600％以上，在23℃下的粘度为1.0×10⁶Pa·s以下。