[发明专利]光传感器电路、光传感器装置及显示装置

说明书

本发明的课题在于提供能够进行稳定的动作的、使用了氧化物半导体晶体管的光传感器电路。光传感器电路包含受光晶体管、第1开关晶体管、第2开关晶体管及电容元件。受光晶体管包含：与第1布线连接的栅极；与第2布线连接的源极；以及漏极。第1开关晶体管具有：与第3布线连接的栅极；与第4布线连接的源极；以及与受光晶体管的漏极连接的漏极。电容元件包含：与受光晶体管的漏极连接的第1端子；以及与第1开关晶体管的源极连接的第2端子。第2开关晶体管包含：与栅极线连接的栅极；与信号线连接的源极；以及电容元件的第1端子连接的漏极。受光晶体管、第1开关晶体管及第2开关晶体管分别包含氧化物半导体层来作为沟道层。

技术领域

本发明涉及光传感器电路，特别是能够应用于使用氧化物半导体晶体管的光传感器电路、光传感器装置及显示装置。

背景技术

作为使用氧化物半导体晶体管的光感测电路、光传感器元件，提出了日本特开2011-243950号公报(专利文献1)、日本特开2009-182194号(专利文献2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-243950号公报

专利文献2：日本特开2009-182194号公报

发明内容

氧化物半导体晶体管具有当一边进行光照射一边施加负偏压时阈值电压大幅度变化的光负偏压退化的退化模式。另外，在向氧化物半导体晶体管进行光照射的情况下，具有即使光的照射停止，漏极电流的减少也非常慢的特性。因此，存在很难将氧化物半导体晶体管应用于光传感器元件的课题。

本发明的目的在于提供能够进行稳定的动作的、使用了氧化物半导体晶体管的光传感器电路。

其他课题和新的特征基于本说明书的叙述及附图可明确。

简单说明本发明中的代表性方案的概要如下。

即，光传感器电路包含受光晶体管、第1开关晶体管、第2开关晶体管及电容元件。所述受光晶体管包含：与第1布线连接的栅极；第2布线连接的源极；以及漏极。所述第1开关晶体管包含：与第3布线连接的栅极；与第4布线连接的源极；以及与所述受光晶体管的所述漏极连接的漏极。所述电容元件包含：与所述受光晶体管的所述漏极连接的第1端子；以及与所述第1开关晶体管的所述源极连接的第2端子。所述第2开关晶体管包含：与栅极线连接的栅极；与信号线连接的源极；以及与所述电容元件的所述第1端子连接的漏极。所述受光晶体管、第1开关晶体管及所述第2开关晶体管分别包含氧化物半导体层来作为沟道层。

另外，光传感器装置包含：多条栅极线；多条信号线；以及多个光传感器电路，其以使1个光传感器电路与1条栅极线及1条信号线连接的方式而与所述多条栅极线及所述多条信号线连接。所述多个光传感器电路各自包含受光晶体管、第1开关晶体管、第2开关晶体管及电容元件。所述受光晶体管包含：与第1布线连接的栅极；与第2布线连接的源极；以及漏极。所述第1开关晶体管包含：与第3布线连接的栅极；与第4布线连接的源极；以及与所述受光晶体管的所述漏极连接的漏极。所述电容元件具有：与所述受光晶体管的所述漏极连接的第1端子；以及与所述第1开关晶体管的所述源极连接的第2端子。所述第2开关晶体管包含：与相应的栅极线连接的栅极；与相应的信号线连接的源极；以及与所述电容元件的所述第1端子连接的漏极。所述受光晶体管、第1开关晶体管及所述第2开关晶体管分别包含氧化物半导体层来作为沟道层。