[发明专利]晶圆的表面处理方法及用于该方法的组合物在审
| 申请号： | 201980020638.2 | 申请日： | 2019-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN111886676A | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 照井贵阳 | 申请（专利权）人： | 中央硝子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 表面 处理 方法 用于 组合 | ||
1.一种晶圆的表面处理方法，其在表面具有凹凸图案且至少在该凹部具有Si元素的晶圆的清洗中，在所述凹凸图案的至少凹部保持有液体的状态下，将含有拒水性保护膜形成成分和溶剂的组合物的蒸气供给至所述凹凸图案表面，使所述蒸气的状态变为液体状态，将保持于所述凹部的液体置换为该组合物的液体，从而至少在所述凹部表面形成拒水性保护膜，
所述拒水性保护膜形成成分仅为下述通式[1]所示的化合物，
所述溶剂至少含有非环状碳酸酯，溶剂总量中的所述非环状碳酸酯的量为50～100质量％，
R1x(CH3)3-xSiN(R2)2 [1]
式[1]中，R1分别独立为选自H基、碳数为1～10的烃基、及氢原子的一部分或全部被氟原子取代的碳数为1～10的烃基的基团；x为1～3的整数；R2分别相互独立为选自氢原子的一部分或全部任选被氟原子取代的甲基、乙基、乙酰基的基团。
2.根据权利要求1所述的晶圆的表面处理方法，其中，所述通式[1]所示的化合物选自由(CH3)3SiN(CH3)2、C2H5Si(CH3)2N(CH3)2、(C2H5)2Si(CH3)N(CH3)2、(C2H5)3SiN(CH3)2、C3H7Si(CH3)2N(CH3)2、(C3H7)2Si(CH3)N(CH3)2、(C3H7)3SiN(CH3)2、C4H9Si(CH3)2N(CH3)2、(C4H9)3SiN(CH3)2、C5H11Si(CH3)2N(CH3)2、C6H13Si(CH3)2N(CH3)2、C7H15Si(CH3)2N(CH3)2、C8H17Si(CH3)2N(CH3)2、C9H19Si(CH3)2N(CH3)2、C10H21Si(CH3)2N(CH3)2、(CH3)2Si(H)N(CH3)2、CH3Si(H)2N(CH3)2、(C2H5)2Si(H)N(CH3)2、C2H5Si(H)2N(CH3)2、C2H5Si(CH3)(H)N(CH3)2、(C3H7)2Si(H)N(CH3)2、C3H7Si(H)2N(CH3)2、CF3CH2CH2Si(CH3)2N(CH3)2、C2F5CH2CH2Si(CH3)2N(CH3)2、C3F7CH2CH2Si(CH3)2N(CH3)2、C4F9CH2CH2Si(CH3)2N(CH3)2、C5F11CH2CH2Si(CH3)2N(CH3)2、C6F13CH2CH2Si(CH3)2N(CH3)2、C7F15CH2CH2Si(CH3)2N(CH3)2、C8F17CH2CH2Si(CH3)2N(CH3)2、CF3CH2CH2Si(CH3)(H)N(CH3)2、所述二甲氨基硅烷的二甲氨基(-N(CH3)2基)为-N(C2H5)2基的化合物、所述二甲氨基硅烷的二甲氨基为-N(CH3)C(O)CH3基的化合物及所述二甲氨基硅烷的二甲氨基为-N(CH3)C(O)CF3基的化合物组成的组中的至少1种。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
