[发明专利]具有低的多烷基污染的单烷基锡化合物、其组合物和方法

说明书

纯组合物包含由化学式RSn(OR’)₃表示的单烷基锡三烷氧化物化合物或由化学式RSn(NR’₂)₃表示的单烷基锡三胺基化物化合物，和相对于总锡量计不超过4摩尔％的二烷基锡化合物，其中R为具有1至31个碳原子的烃基，并且其中R’为具有1至10个碳原子的烃基。描述了用于形成该纯组合物的方法。固体组合物包含由化学式RSn‑(NR’COR”)₃表示的单烷基三酰胺基锡化合物，其中R为具有1至31个碳原子的烃基，并且其中R’和R”独立地为具有1至10个碳原子的烃基。所述组合物适合于形成适用于EUV图案化的抗蚀剂组合物，其中所述组合物具有高EUV吸收。

相关申请的交叉引用

本申请是Edson等在2018年4月11日提交的名称为“具有低的多烷基污染的单烷基锡化合物、其组合物和方法”的共同待审的美国专利申请15/950,292的部分继续申请，并且是Edson等在2018年4月11日提交的名称为“具有低的多烷基污染的单烷基锡化合物、其组合物和方法”的共同待审的美国专利申请15/950,286的部分继续申请，两者均通过引用结合于此。

发明领域

本发明涉及单烷基锡三胺基化物、单烷基锡三烷氧化物或单烷基三酰胺基锡的高纯度组合物及其制备方法。

发明背景

有机金属化合物由于提供溶液可加工形式的金属离子而引人关注。烷基锡化合物提供辐射敏感的Sn-C键，其可以用于对结构进行光刻图案化。尺寸不断缩小的半导体材料的加工导致需要更通用的材料以实现所需的图案化分辨率，并且烷基锡化合物对于提供图案化优点来说是有前景的先进材料。

发明概述

在第一方面，本发明涉及一种组合物，所述组合物包含由化学式RSn(OR’)₃表示的单烷基锡三烷氧化物化合物或由化学式RSn(NR'₂)₃表示的单烷基锡三胺基化物化合物，和相对于总锡量计不超过4摩尔％的二烷基锡化合物，其中R为具有1至31个碳原子的烃基，并且其中R’为具有1至10个碳原子的烃基。可以使所述单烷基锡三胺基化物与由式HOR”表示的醇在有机溶剂中反应形成RSnOR″₃，其中R”独立地为具有1至10个碳原子的烃基以形成产物组合物，其中所述产物组合物具有相对于锡的总量计不超过4摩尔％的二烷基锡化合物。

在另一方面，本发明涉及一种组合物，所述组合物包含由化学式RSn-(NR’COR”)₃表示的单烷基三酰胺基锡化合物，其中R为具有1至31个碳原子的烃基，并且其中R’和R”独立地为具有1至10个碳原子的烃基。

在另一个方面，本发明涉及一种形成单烷基锡三胺基化物化合物的方法，所述方法包括：使选自由RMgX、R₂Zn、RZnNR'₂或它们的组合组成的组中的烷基化试剂与Sn(NR'₂)₄在包含有机溶剂的溶液中反应，其中R为具有1至31个碳原子的烃基，其中X为卤素，并且其中R’为具有1至10个碳原子的烃基。

在其他方面，本发明涉及一种选择性形成具有低的二烷基锡污染的单烷基锡三烷氧化物化合物的方法，所述方法包括：使RSn(NR'₂)₃与由式HOR”表示的醇在有机溶剂中反应形成RSnOR″₃，其中RSn(NR′₂)₃反应物具有不超过约4摩尔％的二烷基锡污染物并且为权利要求17所述的方法的产物，其中R为具有1至31个碳原子的烃基，并且其中R’和R”独立地为具有1至10个碳原子的烃基。