[发明专利]无倒角通孔集成方案

说明书

本发明提供了用于以集成方案处理半导体衬底以形成无倒角通孔的方法和装置。方法包括通过沉积保形的能去除的密封剂层来分叉蚀刻电介质，该保形的能去除的密封剂层具有相对于介电材料选择性去除的特性而不会损坏介电材料。一些方法包括形成可灰化的保形密封剂层。方法还包括形成包括IV族金属的硬掩模，并在一次操作中使用相同的蚀刻化学物质去除保形的能去除的密封剂层和硬掩模。

通过引用并入

申请表与本说明书同时提交作为本申请的一部分。本申请要求享有在同时提交的申请表中确定的其优先权的利益或优先权的每个申请通过引用将其整体并入本文且用于所有目的。

背景技术

半导体器件的制造涉及用于形成集成电路的各种结构的图案化方案。随着器件的缩小，对于形成可靠的结构提出了挑战。

这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。在此背景技术部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的描述的各方面中描述的范围内的当前指定的发明人的工作既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。

发明内容

本文提供了用于处理半导体衬底的方法和装置。

用作保形的能去除的密封剂层的任何含IV族金属的氧化物或含IV族金属的氮化物或硫化物或其组合的一个或多个层的任何合适的组合可以与任何含IV族金属的氧化物或含IV族金属的氮化物或硫化物或其组合的任何一个或多个层组合使用作为硬掩模。

一个示例包括集成方案，其中通过在超低k(ULK)介电材料的沟槽程度(level)和通孔程度之间沉积保形的能去除的氧化锡密封剂层来使ULK介电材料的蚀刻分叉。

一个示例包括集成方案，其中通过在ULK介电材料的沟槽程度和通孔程度之间沉积保形的能去除的氮化锡密封剂层来使ULK介电材料的蚀刻分叉。

一个示例包括集成方案，其中通过在ULK介电材料的沟槽程度和通孔程度之间沉积保形的能去除的氮化锡密封剂层(在厌氧条件下沉积)来使ULK介电材料的蚀刻分叉。

一个示例包括集成方案，其中通过在ULK介电材料的沟槽程度和通孔程度之间沉积保形的能去除的包含氮化锡和其下面的氧化锡的密封剂层来使ULK介电材料的蚀刻分叉。

一个示例包括集成方案，其中通过在ULK介电材料的沟槽程度和通孔程度之间沉积保形的能去除的包含氮化锡和其下面的氧化锡的密封剂层(在无氧条件下沉积)来使ULK介电材料的蚀刻分叉。

一个示例包括具有图案化的含IV族金属的氧化物或含IV族金属的氮化物或硫化物硬掩模的衬底的集成方案，其中通过在ULK介电材料的沟槽程度和通孔程度之间沉积保形的能去除的氧化锡密封剂层来使ULK介电材料的蚀刻分叉。

一个示例包括具有图案化的含IV族金属的氧化物或含IV族金属的氮化物或硫化物硬掩模的衬底的集成方案，其中通过在ULK介电材料的沟槽程度和通孔程度之间沉积保形的能去除的氮化锡密封剂层来使ULK介电材料的蚀刻分叉。

一个示例包括具有图案化的含IV族金属的氧化物或含IV族金属的氮化物或硫化物硬掩模的衬底的集成方案，其中通过在ULK介电材料的沟槽程度和通孔程度之间沉积保形的能去除的氮化锡密封剂层(在厌氧条件下沉积)来使ULK介电材料的蚀刻分叉。

一个示例包括具有图案化的含IV族金属的氧化物或含IV族金属的氮化物或硫化物硬掩模的衬底的集成方案，其中通过在ULK介电材料的沟槽程度和通孔程度之间沉积保形的能去除的包含氮化锡和其下面的氧化锡的密封剂层来使ULK介电材料的蚀刻分叉。

一个示例包括具有图案化的含IV族金属的氧化物或含IV族金属的氮化物或硫化物硬掩模的衬底的集成方案，其中通过在ULK介电材料的沟槽程度和通孔程度之间沉积保形的能去除的包含氮化锡和其下面的氧化锡的密封剂层(在厌氧条件下沉积)来使ULK介电材料的蚀刻分叉。