[发明专利]有机硅组合物有效

专利信息
申请号: 201980021008.7 申请日: 2019-03-14
公开(公告)号: CN111918929B 公开(公告)日: 2022-11-29
发明(设计)人: 户谷亘 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: C08L83/07 分类号: C08L83/07;C08K3/04;C08K5/01;C08L83/05
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 杜丽利
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 有机硅 组合
【说明书】:

含有以下组分的有机硅组合物能够形成具有比现有的有机硅脂高的热导率并且处理性良好的有机硅脂:(A)在1分子中具有至少2个脂肪族不饱和烃基、25℃下的运动粘度为60~100000mm2/s的有机聚硅氧烷;(B)由下述通式(1)表示的有机氢聚硅氧烷(R1为碳原子数1~6的烷基,R2为R1或氢原子,n为2~40,m为0~98的整数,n+m为5≤n+m≤100。);(C)薄片化为平均厚度100nm以下的石墨粉末;(D)具有10W/m·℃以上的热导率的导热性填料;(E)铂族金属催化剂;(G)能够使上述(A)成分和(B)成分分散或溶解的沸点为160~360℃的微挥发性异链烷烃化合物。

技术领域

本发明涉及有机硅组合物。详细地说,涉及能够成为即使大量地含有导热性填料也可形成良好的处理性和固化后优异的热性能的有机硅脂的有机硅组合物。

背景技术

就半导体元件而言,使用中的发热和其引起的性能的降低是众所周知的,作为用于将其解决的手段,使用了各种散热技术。一般地,在发热部的附近配置冷却构件(散热器等),使两者密接后通过从冷却构件有效率地除热,从而进行了散热。此时,如果在发热构件与冷却构件之间存在间隙,则导热性差的空气介于其间,从而热导率降低,发热构件的温度没有充分地降低。为了防止这样的现象,使用了热导率良好、与构件的表面具有追随性的散热材料例如散热脂、散热片(专利文献1~13:日本专利第2938428号公报、日本专利第2938429号公报、日本专利第3580366号公报、日本专利第3952184号公报、日本专利第4572243号公报、日本专利第4656340号公报、日本专利第4913874号公报、日本专利第4917380号公报、日本专利第4933094号公报、日本特开2008-260798号公报、日本特开2009-209165号公报、日本特开2012-102283号公报、日本特开2012-96361号公报)。

关于近年来面向服务器的CPU等高品位机种的半导体,工作时的发热量日益增大。随着发热量的增大,对散热脂、散热片所要求的散热性能也提高。所谓散热性能的提高,即为降低散热脂、散热片等的热阻或提高热导率。但是,对于现有技术而言,为了提高热导率,如果提高导热性填料的填充率,则存在着组合物的粘度上升、排出变得困难这样的课题。为了解决这样的课题,目前为止进行了各种类型的导热性填料的研究、其组合的研究,但从热导率的观点来看,并不充分(专利文献14~16:日本专利第3891969号公报、日本专利第3957596号公报、日本专利第3948642号公报)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本专利第2938428号公报

专利文献2:日本专利第2938429号公报

专利文献3:日本专利第3580366号公报

专利文献4:日本专利第3952184号公报

专利文献5:日本专利第4572243号公报

专利文献6:日本专利第4656340号公报

专利文献7:日本专利第4913874号公报

专利文献8:日本专利第4917380号公报

专利文献9:日本专利第4933094号公报

专利文献10:日本特开2008-260798号公报

专利文献11:日本特开2009-209165号公报

专利文献12:日本特开2012-102283号公报

专利文献13:日本特开2012-96361号公报

专利文献14:日本专利第3891969号公报

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