[发明专利]具有改进的顺应性的电互连

权利要求书

1.一种用于具有衬底的微电子器件的导电柱，所述导电柱包括：

第一部分，所述第一部分由具有第一刚度的第一导电材料形成；

第二部分，所述第二部分在第一端上邻接所述第一部分，其中，所述第二部分包括由第二导电材料形成的焊料元件，所述第二导电材料不同于所述第一导电材料并且具有小于所述导电材料的所述第一刚度的第二刚度，其中，所述焊料元件被嵌入在所述微电子器件的所述衬底内；以及

第三部分，所述第三部分在所述第二部分的第二端上邻接所述第二部分，所述第二端与所述第一端相对，其中，所述第三部分由具有所述第一刚度的所述第一导电材料或具有第三刚度的第三导电材料中的一种形成，所述第三刚度大于所述第二导电材料的所述第二刚度。

2.根据权利要求1所述的导电柱，其中，所述第二导电材料包括锡(Sn)合金。

3.根据权利要求1所述的导电柱，其中，所述第一导电材料包括镍(Ni)、钯(Pd)、金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)及其合金中的一种。

4.根据权利要求1所述的导电柱，其中，所述第二导电材料具有低于所述第一导电材料和所述第三导电材料的熔化温度。

5.根据权利要求1所述的导电柱，还包括：第四部分，所述第四部分在所述第三部分的与所述第二部分相对的端上邻接所述第三部分，其中，所述第四部分由不同于所述第一导电材料和所述第二导电材料的另一导电材料形成，并且其中，所述另一导电材料具有不同于所述第一刚度和所述第二刚度的另一刚度。

6.根据权利要求5所述的导电柱，其中，另一第三导电材料包括Ni/Pd/Au层。

7.一种微电子器件，包括：

具有电介质材料的衬底；

多个导电柱，所述多个导电柱延伸穿过所述衬底，所述多个导电柱中的每一个包括：

第一部分，所述第一部分由具有第一刚度的第一导电材料形成，

第二部分，所述第二部分在第一端上邻接所述第一部分，其中，所述第二部分包括由第二导电材料形成的焊料元件，所述第二导电材料不同于所述第一导电材料并且具有小于所述导电材料的所述第一刚度的第二刚度，以及

第三部分，所述第三部分在所述第二部分的第二端上邻接所述第二部分，所述第二端与所述第一端相对，其中，所述第三部分由具有所述第一刚度的所述第一导电材料或具有第三刚度的第三导电材料中的一种形成，所述第三刚度大于所述第二导电材料的所述第二刚度，以及

电子部件，所述电子部件在限定在所述多个导电柱之间的体积中嵌入在所述衬底中。

8.根据权利要求7所述的微电子器件，其中，所述第一部分、所述第二部分和所述第三部分被堆叠以在所述微电子器件与第二微电子器件之间的电连接的方向上延伸，并且其中，所述多个导电柱中的一个或多个将所述电子部件电连接到所述第二微电子器件。

9.根据权利要求7所述的微电子器件，其中，所述第二导电材料包括锡(Sn)合金，并且其中，所述第一导电材料包括镍(Ni)、钯(Pd)、金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)及其合金中的一种。

10.根据权利要求7所述的微电子器件，其中，所述电子部件包括管芯、电容器或电感器中的一种。

11.根据权利要求7所述的微电子器件，其中，所述第二导电材料具有低于所述第一导电材料和所述第三导电材料的熔化温度。

12.根据权利要求7所述的微电子器件，其中，所述多个导电柱中的每一个具有第四部分，所述第四部分在所述第三部分的与所述第二部分相对的端上邻接所述第三部分，其中，所述第四部分由具有另一刚度的另一导电材料形成，并且其中，所述第三导电材料和所述另一刚度分别不同于所述第二导电材料和第二刚度。