[发明专利]PZT材料结晶层的制造方法和外延生长PZT材料结晶层的衬底

权利要求书

1.一种用于生产PZT材料的结晶层(300，300'，3001，3002，3003)的方法，其包括将SrTiO₃材料的单晶晶种层(200，200'，2000')转移到硅材料的载体衬底(100，100'，100)，随后外延生长所述PZT材料的结晶层(300，300'，3001，3002，3003)。

2.如前一项权利要求所述的方法，其中，所述单晶晶种层(200，200'，2000')的厚度小于10μm，优选小于2μm，更优选小于0.2μm。

3.如前述权利要求之一所述的方法，其中，将SrTiO₃材料的单晶晶种层(200，200'，2000')转移到硅材料的载体衬底(100，100'，100”)包括将SrTiO₃材料的单晶衬底(20，20'，2001，2002，2003)接合(1'，1”，1”')到所述载体衬底(100，100'，100)的步骤，随后是减薄(2'，2”，2”')所述SrTiO₃材料的单晶衬底(20，20'，2001，2002，2003)的步骤。

4.如前一项权利要求所述的方法，其中，减薄步骤(2”)包括形成弱化区，所述弱化区界定预备转移到所述硅材料的载体衬底(100，100'，100”)的所述SrTiO₃材料的单晶衬底(20')的一部分(200')。

5.如前一项权利要求所述的方法，其中，通过注入(0)原子和/或离子物质来形成所述弱化区。

6.如权利要求4和5所述的方法，其中，减薄步骤(2”)包括在所述弱化区处分离，从而将所述SrTiO₃材料的单晶衬底(20')的所述部分(200')转移到所述硅材料的载体衬底(100，100'，100)，特别地，所述分离包括施加热和/或机械应力。

7.如前述权利要求3至6所述的方法，其中，接合步骤(1'，1”，1”')是分子粘附步骤。

8.如前述权利要求之一所述的方法，其中，所述SrTiO₃材料的单晶晶种层(200，200'，2000')为各自转移到所述硅材料的载体衬底(100，100'，100)的多个片(2001'，2002'，2003')的形式。

9.如前述权利要求之一所述的方法，其中，所述硅材料的载体衬底(100，100'，100)包含可分离界面(40，40')，所述可分离界面(40，40')被配置为借助于激光剥离技术和/或化学侵蚀和/或借助于机械应力而分离。

10.一种用于外延生长PZT材料的结晶层(300，300'，3001，3002，3003)的衬底，其特征在于，它包含位于硅材料的载体衬底(100，100'，100)上的SrTiO₃材料的单晶晶种层(200，200'，2000')。

11.如前一项权利要求所述的用于外延生长PZT材料的结晶层(300，300'，3001，3002，3003)的衬底，其中，所述SrTiO₃材料的单晶晶种层(200，200'，2000')以多个片(2001'，2002'，2003')的形式存在。

12.如权利要求10或11所述的用于外延生长PZT材料的结晶层(300，300'，3001，3002，3003)的衬底，其中，所述硅材料的载体衬底(100，100'，100)包含可分离界面(40，40')，所述可分离界面(40，40')被配置为借助于激光剥离技术和/或化学侵蚀和/或借助于机械应力而分离。