[发明专利]多晶硅的清洗方法、制造方法以及清洗装置有效
| 申请号： | 201980021525.4 | 申请日： | 2019-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN111989291B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 田崎博之;川口一博 | 申请（专利权）人： | 株式会社德山 |
| 主分类号： | C01B33/02 | 分类号： | C01B33/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京信诺创成知识产权代理有限公司 11728 | 代理人： | 尹吉伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 清洗 方法 制造 以及 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种多晶硅的清洗方法，其特征在于，包括：
第一清洗工序，其使氟硝酸与多晶硅接触；和
第二清洗工序，其使含氟酸的非氧化性药水与经过所述第一清洗工序的多晶硅接触；和
第三清洗工序，其使得经过所述第二清洗工序的多晶硅的表面形成氧化膜；
在所述第三清洗工序中，使氟硝酸与多晶硅接触。
2.根据权利要求1所述的多晶硅的清洗方法，其特征在于，
所述非氧化性药水包含1质量％至10质量％的氟化氢。
3.一种多晶硅的制造方法，其特征在于，
作为一个工序包含根据权利要求1或2所述的清洗方法。
4.一种多晶硅的清洗装置，其特征在于，包括：
第一清洗部，其使氟硝酸与多晶硅接触；和
第二清洗部，其使含氟酸的非氧化性药水与经过所述第一清洗部处理过的多晶硅接触；和
第三清洗部，其使得经过所述第二清洗部处理的多晶硅的表面形成氧化膜；
在所述第三清洗部中，使氟硝酸与多晶硅接触；
第一清洗部包括含有氟硝酸的清洗槽，第二清洗部包括含有含氟酸的非氧化性药水的清洗槽，第三清洗部包括含有氟硝酸的清洗槽。
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