[发明专利]固体电解质接合体

权利要求书

1.一种固体电解质接合体，其由固体电解质和电极接合而成，所述固体电解质具有氧化物离子传导性并且含有镧，所述电极由用ABO_3-δ表示的具有立方晶钙钛矿结构的氧化物形成，其中A为碱土类金属元素，B为过渡金属元素，δ为因A、B和O的价数和量而产生的零数，

所述氧化物在一部分A位点上含有镧，并且位于A位点上的所有元素中镧所占的原子比为0.01～0.80，

在所述氧化物中，镧和锶占据A位点、铁、钴和镍占据B位点；镧和钡占据A位点、铁占据B位点；或者镧和钡占据A位点、铁和铜占据B位点。

2.根据权利要求1所述的固体电解质接合体，其中，所述氧化物的A位点上含有镧，进而选自由钡和锶组成的组中的一种以上的元素至少位于所述氧化物的A位点上。

3.根据权利要求1或2所述的固体电解质接合体，其中，铁和铜位于所述氧化物的至少一部分B位点上。

4.一种固体电解质接合体，其由固体电解质和电极接合而成，所述固体电解质具有氧化物离子传导性并且含有镧，所述电极由用ABO_3-δ表示的具有立方晶钙钛矿结构的氧化物形成，其中A为碱土类金属元素，B为仅铁、或者为铁和铁以外的至少一种过渡金属元素，δ为因A、B和O的价数和量而产生的零数，

所述氧化物可以在一部分A位点上含有镧，并且位于B位点上的所有元素中铁所占的原子比为0.1～1.0，

在所述氧化物中，镧和锶占据A位点、铁、钴和镍占据B位点；镧和钡占据A位点、铁占据B位点；钡占据A位点、铁和铜占据B位点；或者镧和钡占据A位点、铁和铜占据B位点。

5.根据权利要求4所述的固体电解质接合体，其中，所述氧化物的平均粒径为1000nm以下，

在将所述氧化物的粒子的轮廓线的长度设定为D、并将该轮廓线中的与相邻的粒子重叠的部分的长度设定为C时，C/D的值为0.2以上。

6.根据权利要求4或5所述的固体电解质接合体，其中，所述氧化物的用X射线小角散射测定来求出的以nm为单位的一次粒径P1相对于以nm为单位的二次粒径P2的比例即P1/P2的值为0.02以上。

7.根据权利要求4或5所述的固体电解质接合体，其中，钡位于所述氧化物的至少一部分A位点上。

8.根据权利要求4或5所述的固体电解质接合体，其中，位于所述氧化物的B位点上的所有元素中铜所占的原子比为0.01～1.0。

9.根据权利要求1、2、4或5所述的固体电解质接合体，其中，所述固体电解质含有镧和硅的复合氧化物。

10.根据权利要求1、2、4或5所述的固体电解质接合体，其中，所述固体电解质含有复合氧化物，所述复合氧化物由通式A_9.33+x[T_6.00-yM_y]O_26.0+z表示，式中的A是选自由La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Yb、Lu、Be、Mg、Ca、Sr和Ba组成的组中的一种或二种以上的元素，式中的T是含有Si或Ge或这两者的元素，式中的M是选自由Mg、Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Ga、Y、Zr、Ta、Nb、B、Ge、Zn、Sn、W和Mo组成的组中的一种或二种以上的元素，式中的x是-1.33～1.50的数，式中的y是0.00～3.00的数，式中的z是-5.00～5.20的数，A的摩尔数相对于T的摩尔数的比率为1.33～3.61。

11.根据权利要求1、2、4或5所述的固体电解质接合体，其中，在所述固体电解质接合体中在与配置有所述电极的面相反一侧的面上，配置有与所述电极相同或不同的电极。