[发明专利]波长选择吸收材料、红外传感器、波长选择光源及辐射冷却系统有效
申请号: | 201980022239.X | 申请日: | 2019-03-27 |
公开(公告)号: | CN112005135B | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
发明(设计)人: | 安田英纪 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | G02B5/22 | 分类号: | G02B5/22;G02B5/26 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 张志楠;褚瑶杨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 波长 选择 吸收 材料 红外传感器 光源 辐射 冷却系统 | ||
1.一种波长选择吸收材料,其依次具备:
基材;
反射层;
高折射率层,该高折射率层相对于波长8μm~13μm的红外光的折射率n为3.0以上,并且厚度d为30nm~1,000nm,包含粘合剂及扁平状金属粒子;及
红外吸收层,在波长8μm~13μm处具有极大吸收波长,
所述折射率n与所述厚度d的乘积n×d超过1000且小于4875,
其中,所述“乘积n×d”中的厚度d的单位为nm。
2.根据权利要求1所述的波长选择吸收材料,其中,
所述红外吸收层包含在波长8μm~波长13μm处具有极大吸收波长的粒子。
3.根据权利要求2所述的波长选择吸收材料,其中,
所述粒子在波长8μm~波长13μm的范围具有因声子振动而产生的剩余射线带。
4.根据权利要求2或3所述的波长选择吸收材料,其中,
所述粒子包含SiO2粒子、SiC粒子或SiN粒子。
5.根据权利要求2或3所述的波长选择吸收材料,其中,
所述粒子的体积含量相对于整个所述红外吸收层为1体积%~50体积%。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的波长选择吸收材料,其中,
所述扁平状金属粒子的平均粒径除以平均厚度而得的值为5以上,
所述扁平状金属粒子的主平面相对于所述高折射率层的表面在0°~30°的范围内面取向,
所述扁平状金属粒子在所述高折射率层中的体积分数为30体积%以上,
所述扁平状金属粒子层叠有2层以上。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的波长选择吸收材料,其中,
所述扁平状金属粒子至少包含银。
8.根据权利要求1至3中任一项所述的波长选择吸收材料,其中,
所述扁平状金属粒子的主平面的形状为六边形以上的多边形状或圆形状。
9.一种红外传感器,其具备权利要求1至8中任一项所述的波长选择吸收材料。
10.一种波长选择光源,其具备权利要求1至8中任一项所述的波长选择吸收材料。
11.一种辐射冷却系统,其具备权利要求1至8中任一项所述的波长选择吸收材料。
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