[发明专利]用于监测多晶片功率的装置及方法

权利要求书

1.一种用于监测包括处于半桥开关配置中的2*N个晶片的多晶片功率模块的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

-将所述晶片设置为非导通状态，

-选择阻断电压的一个晶片，

-在被选晶片的栅极中注入电流，以对所述被选晶片的输入寄生电容进行充电，

-监测代表所述被选晶片的栅极电压的电压，在开始对所述被选晶片的栅极注入电流之后的第一预定时间段之后执行所述电压的监测，所述第一预定时间段值是根据注入电流将所述输入寄生电容充电至第一基准电压的时间确定的，所述第一基准电压的值严格低于所述多晶片功率模块的所述晶片的阈值电压的最小值，以及

-当所监测的电压的值处于电压平稳段时，存储所监测的电压的值。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法还包括检测在第二预定时间段期间是否执行了所述电压的监测或者所监测的电压是否等于或超过最大定义的基准的步骤，并且如果在所述第二预定时间段期间没有执行所述电压的监测，或者如果所监测的电压等于或超过所述最大定义的基准，则该方法还包括通知所述晶片的故障的步骤。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述晶片被分为第一组和第二组，并且一旦针对一组的晶片执行了所述方法，则针对另一组的晶片执行所述方法。

4.一种用于监测包括处于半桥开关配置中的2*N个晶片的多晶片功率模块的装置，其特征在于，该装置包括：

-用于将所述晶片设置为非导通状态的单元，

-用于选择阻断电压的一个晶片的单元，

-用于在被选晶片的栅极中注入电流，以对所述被选晶片的输入寄生电容进行充电的单元，

-用于监测代表所述被选晶片的栅极电压的电压的单元，在开始对所述被选晶片的栅极注入电流之后的第一预定时间段之后执行所述电压的监测，所述第一预定时间段值是根据注入电流将所述输入寄生电容充电至第一基准电压的时间确定的，所述第一基准电压的值严格低于所述多晶片功率模块的所述晶片的阈值电压的最小值，以及

-用于在所监测的电压的值处于电压平稳段时存储所监测的电压的值的单元。

5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：用于检测在第二预定时间段期间是否执行了所述电压的监测或者所监测的电压是否等于或超过最大定义的基准的单元，并且如果在所述第二预定时间段期间没有执行所述电压的监测，或者如果所监测的电压等于或超过所述最大定义的基准，则所述装置被配置为激活用于通知所述晶片的故障的单元。

6.根据权利要求4或5所述的装置，其特征在于，所述晶片被分为第一组和第二组，并且一旦所述装置已经监测了一组的一个晶片，则所述装置被配置为监测另一组的晶片。