[发明专利]静电卡盘装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201980022429.1 | 申请日： | 2019-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN111919288A | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 日高宣浩;木村直人 | 申请（专利权）人： | 住友大阪水泥股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/3065;H02N13/00 |
| 代理公司： | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人： | 杨楷;毛立群 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 静电 卡盘 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种静电卡盘装置，其具备：
基体，一个主表面为载置板状试样的载置面；及
静电吸附用电极，在所述基体上设置在与所述载置面相反的一侧，
所述基体以陶瓷材料为形成材料，
所述陶瓷材料为以氧化铝和碳化硅为主成分且所述氧化铝的晶界上存在层状石墨烯的烧结体。
2.根据权利要求1所述的静电卡盘装置，其中，
所述烧结体还含有β-SiC型碳化硅。
3.根据权利要求1或2所述的静电卡盘装置，其中，
所述陶瓷材料的频率10Hz下的相对介电常数为12.3以上且频率1MHz下的相对介电常数为12.5以下。
4.一种静电卡盘装置的制造方法，其为权利要求1至3中任一项所述的静电卡盘装置的制造方法，包括：
以0.3℃/min以上的升温速度在500℃以下的温度下对成型体进行热处理的工序，所述成型体是对由氧化铝粒子和碳化硅粒子的混合粒子形成的颗粒进行成型而成的；及
对热处理后的成型体进行烧结来形成以氧化铝和碳化硅为主成分且所述氧化铝的晶界上存在层状石墨烯的烧结体的工序。
5.根据权利要求2所述的静电卡盘装置，其中，
所述烧结体所含有的所述β-SiC为所述烧结体的4体积％以上且15体积％以下。
6.根据权利要求1所述的静电卡盘装置，其中，
所述静电吸附用电极以具有导电性的陶瓷为形成材料。
7.根据权利要求1所述的静电卡盘装置，其中，
所述基体仅由所述陶瓷材料形成，
所述碳化硅仅由β-SiC型碳化硅形成。
8.根据权利要求1所述的静电卡盘装置，其中，
在第1陶瓷材料中，氧化铝的晶粒的平均晶体粒径为2μm以下，碳化硅的晶粒的平均晶体粒径为0.2μm以下，
层状石墨烯的厚度为5nm以上且1000nm以下。
9.根据权利要求4所述的静电卡盘装置的制造方法，其中，
所述对成型体进行烧结的工序在所述惰性气体气氛下进行烧结之前，
包括在真空气氛下、在1600℃以下进行所述成型体的加热的子工序。
10.根据权利要求4所述的静电卡盘装置的制造方法，其中，
所述进行热处理的工序在惰性气体气氛下、在常压下进行。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
