[发明专利]光电组件和制造光电组件的方法

说明书

本发明涉及具有下列部件的光电组件（1）：至少一个被设置用于发射辐射的光电半导体芯片（2），围绕半导体芯片（2）的封装件（3），其中封装件（3）具有聚硅氧烷，和布置在封装件（3）上的至少一个用于防止有害气体（V）的阻挡层（4），其中该阻挡层（4）是等离子体聚合层。本发明还涉及制造光电组件的方法。

本发明涉及光电组件。本发明还涉及制造光电组件的方法。

光电组件通常包括具有一定透气性的封装件。因此，诸如挥发性有机化合物（所谓的VOC = 挥发性有机化合物）之类的有害气体可以渗透封装件并到达光电组件的半导体芯片的表面。由这种半导体芯片发射的辐射与半导体芯片附近的局部升高的温度一起最终导致有害气体在光电组件内部的分解和沉积。因此导致亮度损失，这例如是由于在组件的光路中沉积VOC而导致的碳沉积物。这样的光电组件然后以降低的亮度和改变的光色发光。因此，在有害气体的存在下，光电组件不稳定。

因此，本发明的目的是提供对有害气体例如VOC而言稳定的光电组件。本发明的另一目的是提供制造光电组件的方法，其产生对于有害气体而言稳定的组件。

所述目的通过根据独立权利要求的光电组件和制造光电组件的方法来实现。

本发明的有利的实施方案和改进方案在各自的从属权利要求中给出。

在至少一个实施方案中，光电组件具有至少一个光电半导体芯片，该光电半导体芯片被设置用于发射辐射。例如，光电组件可以具有恰好一个半导体芯片。例如，半导体芯片可以发射紫外线波长范围或可见光的蓝色光谱中的电磁辐射。

在至少一个实施方案中，光电组件包括封装件。封装件布置在半导体芯片周围，即至少部分将其包围。例如，可以将半导体芯片布置在衬底上，并且封装件包围衬底上的半导体芯片。例如，封装件和衬底可以一起完全包围半导体芯片。半导体芯片也可以布置在壳体的凹口中，以使得壳体与封装件一起完全包围半导体芯片。完全包围在此分别意味着没有留下开口。封装件可以与半导体芯片一起直接接触或与半导体芯片隔开。封装件在其几何形状方面不受限制，并且例如可以设计成扁平的或透镜形的。其也可以具有空腔或被设计为凸透镜。封装件可以例如是灌封件（Verguss）。例如，其也可以是多级灌封件。

在至少一个实施方案中，封装件包含聚硅氧烷。聚硅氧烷尤其应理解为聚有机硅氧烷，即硅酮。例如，硅酮是双组分硅酮 （“2K硅酮”） ，例如基于二甲基硅氧烷的可热固化的加成交联的双组分硅酮。例如，封装件除了聚硅氧烷之外还具有一种或多种其它物质。因此，封装件可以包含多种物质或由多种物质组成。例如，封装件可以包含一种或多种发光物质和/或转换物质，其可以例如以颗粒的形式分布在封装件中。转换物质将波长较短的初级辐射转换为波长较长的次级辐射。例如，转换物质可以是借助蓝光被激发并且发射黄光的物质。在将蓝光仅部分转换为黄光的情况下，可以实现不同光谱颜色的叠加（additiv）混合物。该原理也可以用于产生白光。但是，封装件也可以不含发光物质和转换物质。例如，封装件由聚硅氧烷组成。

在至少一个实施方案中，光电组件包括至少一个用于防止有害气体的阻挡层。例如，组件包括恰好一个或恰好两个阻挡层。阻挡层应理解为减慢或完全阻止有害气体渗入到组件内部，特别是半导体芯片附近的层。例如，阻挡层应理解为形成针对有害气体的扩散阻挡物的层。

此处和下面，有害气体是指可以在光电组件的半导体芯片的辐射作用下和/或在热作用下分解和沉积的气态物质。光电组件内部，尤其是组件的光路中的沉积导致亮度损失和颜色变化。特别地，有害气体是所谓的VOC，即挥发性有机化合物。这是有机，即含碳的物质的统称，它们容易蒸发或甚至在低温下，例如在室温下作为气体存在。挥发性一词表示属于VOC类的物质由于其高蒸气压或低沸点而迅速蒸发。例如，VOC理解为在293.15开氏温度下具有0.01千帕或更高的蒸气压或在各自的使用条件下具有相应挥发性的有机化合物。由于VOC包含碳，其可在光电组件的光路中引起碳沉积物。

在至少一个实施方案中，所述至少一个阻挡层布置在封装件上。特别地，它可以直接布置在封装件上。在此，直接布置在封装件上是指封装件和阻挡层具有共同的界面。