[发明专利]形成贯穿衬底通孔的方法以及包括贯穿衬底通孔的半导体器件

权利要求书

1.一种形成贯穿衬底通孔的方法，包括：

提供：具有布置在衬底(1)上的电介质(2)的所述衬底(1)；嵌入所述电介质(2)中的金属层(3)；以及布置在所述金属层(3)上的含金属层(4)，所述含金属层(4)设置在衬底(1)与金属层(3)之间；

在所述金属层(3)上方形成穿透衬底(1)的导通孔(9)；

在所述导通孔(9)中施加绝缘层(11)；

从所述金属层(3)的接触区域(10)上方将所述绝缘层(11)去除；以及

在所述导通孔(9)中施加金属化部(12)，所述金属化部(12)在所述接触区域(10)中与所述金属层(3)接触并且通过所述绝缘层(11)与所述衬底(1)绝缘；

其特征在于，

在施加所述金属化部(12)之前将所述含金属层(4)从所述接触区域(10)完全去除。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在施加所述绝缘层(11)并将所述绝缘层从所述接触区域(10)上方去除之后，从所述接触区域(10)上方去除所述电介质(2)。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在施加所述绝缘层(11)之前，从所述含金属层(4)上方去除所述电介质(2)，以便所述导通孔(9)到达所述含金属层(4)，

将所述绝缘层(11)施加在所述含金属层(4)上，以及

从所述接触区域(10)上方去除所述绝缘层(11)，使得所述含金属层(4)的一部分留在所述金属层(3)与所述绝缘层(11)之间。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在施加所述绝缘层(11)之前，从所述金属层(3)上方去除所述电介质(2)和所述含金属层(4)，以便所述导通孔(9)到达所述金属层(3)，并且在所述导通孔(9)的内部暴露所述金属层(3)的接触区域(10)，

将所述绝缘层(11)施加在所述金属层(3)上，以及

从所述接触区域(10)上方去除所述绝缘层(11)之后，施加所述金属化部(12)以与所述接触区域(10)电接触并且使其通过所述绝缘层(11)与所述含金属层(4)绝缘。

5.根据权利要求1至4之一所述的方法，其中

所述金属层(3)包括与所述含金属层(4)的材料不同的材料。

6.根据权利要求1至5之一所述的方法，其中

所述含金属层(4)包括钛或铝。

7.根据权利要求1至6之一所述的方法，其中

所述含金属层(4)包括氮化物。

8.根据权利要求1至7之一所述的方法，其中

通过蚀刻以及通过使用相对于所述含金属层(4)非选择性的配方，从所述金属层(3)上方去除所述电介质(2)。

9.根据权利要求1至8之一所述的方法，其中

所述金属层(3)是铝。

10.根据权利要求1至9之一所述的方法，其中

通过蚀刻从所述金属层(3)上方去除电介质(2)和绝缘层(11)，并且在这些蚀刻步骤的每一个中使用相同的蚀刻配方。

11.根据权利要求1至10之一所述的方法，还包括：

在形成所述导通孔(9)之前施加具有开口(8)的掩模(7)，

通过所述开口(8)蚀刻所述导通孔(9)，以及

在施加所述绝缘层(11)之前去除所述掩模(7)。